时间：2025/5/10 11:13:03
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FGH75T65SHDTL4是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，广泛用于电源管理、电机驱动和其他需要高效能开关的场景。
该型号属于N沟道增强型MOSFET，支持高电压操作并具备出色的热性能，能够显著提高系统效率并减少能量损耗。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：75A
导通电阻：0.018Ω
栅极电荷：90nC
开关速度：超快
封装形式：TO-247
FGH75T65SHDTL4的主要特点是其卓越的电气性能与可靠性。首先，它的最大漏源电压高达650伏特，适合高压环境下的应用需求。其次，其连续漏极电流为75安培，确保在大功率条件下稳定运行。
此外，这款MOSFET拥有极低的导通电阻（仅0.018欧姆），有效降低了导通时的能量损耗，从而提高了整体效率。栅极电荷仅为90纳库仑，进一步加快了开关速度，减少了开关损耗。
它还采用了坚固耐用的TO-247封装，提供良好的散热性能，并且易于集成到各种电路设计中。这种组合使得FGH75T65SHDTL4成为高效率、高性能功率转换应用的理想选择。
FGH75T65SHDTL4常用于多种工业及消费类电子产品领域，包括但不限于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）：作为主开关器件，在AC-DC或DC-DC转换器中实现高效的能量转换。
2. 电机驱动：适用于各类电动工具、家用电器以及工业设备中的无刷直流电机控制。
3. 太阳能逆变器：用于光伏系统的最大功率点跟踪（MPPT）和逆变功能。
4. 电动汽车（EV）/混合动力汽车（HEV）：参与电池管理系统（BMS）、充电电路以及牵引逆变器等关键部分。
5. UPS不间断电源：保障关键负载在市电中断时持续供电。
FGH75T65S,
IRFP250N,
STW120N65,
FDP15N65
