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GA0805H681KXABC31G 发布时间 时间:2025/6/3 18:30:30 查看 阅读:9

GA0805H681KXABC31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动以及开关电路等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效降低功耗并提高系统效率。
  此型号中的特定编码表示其封装形式、电气参数和工作条件等详细信息,适用于工业级及消费类电子产品的设计需求。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  持续漏极电流(Id):5A
  导通电阻(Rds(on)):40mΩ(典型值,@Vgs=10V)
  总功耗(Ptot):1.2W
  结温范围(Tj):-55℃至+150℃
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

GA0805H681KXABC31G具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提升整体效率。
  2. 快速开关能力,适合高频应用场合,可有效降低开关损耗。
  3. 高雪崩能量耐受能力,增强了器件在异常情况下的可靠性。
  4. 优化的热性能设计,确保在高温环境下稳定运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且支持无铅焊接工艺。
  6. 小型化封装,便于PCB布局和节省空间。

应用

该型号的MOSFET主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流或主开关管。
  2. 直流-直流转换器(DC-DC Converter)的核心功率元件。
  3. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制开关。
  4. 各类电机驱动电路中的功率输出级。
  5. 消费电子产品如笔记本电脑适配器、手机充电器等的功率调节部分。
  6. 工业自动化设备中涉及高低电平切换的场景。

替代型号

GA0805H681KXABC32G, IRF540N, FQP17N06

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GA0805H681KXABC31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容680 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-