时间：2025/5/21 17:29:47
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FGH60T65SQD-F155是一款高性能的MOSFET功率晶体管，采用先进的制造工艺设计，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的应用场景。该器件具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特性，能够显著提升系统效率并减少功率损耗。
其封装形式为TO-247，适合表面贴装或通过焊接进行安装，同时具备良好的散热性能以满足高功率应用需求。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：60A
导通电阻：0.018Ω
栅极电荷：85nC
反向恢复时间：35ns
工作温度范围：-55℃至175℃
1. 高击穿电压（650V），确保在高压环境下的稳定运行。
2. 极低的导通电阻（0.018Ω），降低导通状态下的功率损耗。
3. 快速开关能力，得益于较小的栅极电荷和短反向恢复时间，适用于高频开关应用。
4. 宽泛的工作温度范围（-55℃至175℃），适应各种极端环境条件。
5. 符合RoHS标准，环保且可靠。
6. TO-247封装提供出色的热管理和机械稳定性。
该芯片适用于多种工业和消费类电子设备，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）设计，如AC-DC适配器和电源模块。
2. 电机驱动电路，用于家用电器、工业设备和电动车。
3. 太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统中的功率转换。
4. LED驱动器和其他需要高效功率管理的场合。
5. 各种高频功率转换应用场景。
FGH60T65SQD-F150
IRFP460
STP60NF65
FDP18N65S
