时间：2025/7/22 20:13:04
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AP30T10GH-HF 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高效率电源管理应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场景。
类型：N 沟道
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：20V
连续漏极电流（ID）：30A
导通电阻（RDS(on)）：约 5.3mΩ（在 VGS=10V）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-252（DPAK）
AP30T10GH-HF MOSFET 具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高电源转换效率。这使得该器件非常适合用于高频率开关应用，如 DC-DC 转换器和同步整流器。其次，其最大漏源电压为 100V，最大连续漏极电流为 30A，具备良好的高电流承载能力，适用于高功率密度设计。
此外，该器件采用了先进的沟槽技术，优化了导通和开关性能，同时具有较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗并提高系统效率。AP30T10GH-HF 的 TO-252（DPAK）封装提供了良好的热管理性能，能够有效散热，确保在高负载条件下的稳定性。
该 MOSFET 还具备高耐用性和可靠性，能够在恶劣的工作环境下稳定运行。其宽工作温度范围（-55°C 至 175°C）使其适用于各种工业、汽车和消费类电子产品。此外，该器件符合 RoHS 环保标准，无卤素，符合现代电子产品对环保的要求。
AP30T10GH-HF 广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理、DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制、电池管理系统、负载开关以及工业自动化设备。其高电流能力和低导通电阻使其在高效率电源转换系统中表现出色。在汽车电子中，该器件可用于车载充电器、电动工具和电机驱动系统。同时，其良好的热管理特性也使其适用于紧凑型电源设计和高密度 PCB 布局。
IPD30N10S4-03, FDD3632, SiHH30N10
