您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > AP30T10GH-HF

AP30T10GH-HF 发布时间 时间:2025/7/22 20:13:04 查看 阅读:7

AP30T10GH-HF 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,适用于高效率电源管理应用。该器件采用先进的沟槽技术,提供低导通电阻(RDS(on))和高电流处理能力,适合用于 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场景。

参数

类型:N 沟道
  漏源电压(VDS):100V
  栅源电压(VGS):20V
  连续漏极电流(ID):30A
  导通电阻(RDS(on)):约 5.3mΩ(在 VGS=10V)
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  封装类型:TO-252(DPAK)

特性

AP30T10GH-HF MOSFET 具有多个显著的电气和热性能优势。首先,其低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通损耗,提高电源转换效率。这使得该器件非常适合用于高频率开关应用,如 DC-DC 转换器和同步整流器。其次,其最大漏源电压为 100V,最大连续漏极电流为 30A,具备良好的高电流承载能力,适用于高功率密度设计。
  此外,该器件采用了先进的沟槽技术,优化了导通和开关性能,同时具有较低的栅极电荷(Qg),有助于减少开关损耗并提高系统效率。AP30T10GH-HF 的 TO-252(DPAK)封装提供了良好的热管理性能,能够有效散热,确保在高负载条件下的稳定性。
  该 MOSFET 还具备高耐用性和可靠性,能够在恶劣的工作环境下稳定运行。其宽工作温度范围(-55°C 至 175°C)使其适用于各种工业、汽车和消费类电子产品。此外,该器件符合 RoHS 环保标准,无卤素,符合现代电子产品对环保的要求。

应用

AP30T10GH-HF 广泛应用于多个领域,包括但不限于电源管理、DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制、电池管理系统、负载开关以及工业自动化设备。其高电流能力和低导通电阻使其在高效率电源转换系统中表现出色。在汽车电子中,该器件可用于车载充电器、电动工具和电机驱动系统。同时,其良好的热管理特性也使其适用于紧凑型电源设计和高密度 PCB 布局。

替代型号

IPD30N10S4-03, FDD3632, SiHH30N10

AP30T10GH-HF推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价