FGH60N60UF 是一款由富士电机(Fuji Electric)制造的高功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT),属于富士的第六代IGBT产品系列。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗特性和双极型晶体管的低导通压降优势,适用于高效率、高功率密度的电力电子系统。FGH60N60UF 采用TO-247封装形式,具备良好的热性能和电流承载能力,广泛应用于工业变频器、电机驱动、UPS不间断电源、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等高功率场合。
类型:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)
最大集电极-发射极电压(VCES):600V
最大集电极电流(IC):60A
导通压降(VCE_sat @ IC=60A):约2.1V(典型值)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
栅极驱动电压:+15V/-15V(推荐)
短路耐受能力:有
封装类型:TO-247
最大功耗(Ptot):170W
热阻(Rth(j-c)):约0.7°C/W
FGH60N60UF 是一款优化设计的IGBT器件,具备出色的导通和开关性能,能够满足高功率应用的需求。其主要特性包括:
首先,该器件采用了先进的沟槽栅和场截止(Field Stop)技术,显著降低了导通压降和开关损耗。这使得FGH60N60UF在大电流工作条件下仍能保持较低的功率损耗,从而提高整体系统的效率。
其次,FGH60N60UF具有良好的短路耐受能力,能够在瞬态过载条件下保持稳定运行。这一特性对于工业电机驱动和UPS等要求高可靠性的系统至关重要,可以有效防止因短路或过载引起的器件失效。
此外,该IGBT器件具备良好的热稳定性,其TO-247封装结构具有较低的热阻(Rth(j-c)约为0.7°C/W),能够有效地将芯片热量传导至散热器,从而延长器件的使用寿命并提高系统的可靠性。
在开关特性方面,FGH60N60UF的开关损耗(Eon和Eoff)经过优化,适用于高频开关应用。这使得它在变频器和太阳能逆变器等需要高频工作的场合具有明显优势,有助于减小电感元件的体积,提高系统的功率密度。
FGH60N60UF还具备良好的栅极驱动兼容性,支持标准+15V/-15V栅极驱动电压,确保快速而稳定的开关操作。其栅极阈值电压(VGE(th))典型值为5.5V,确保在各种工作条件下都能可靠导通和关断。
最后,该器件具有良好的封装绝缘性能,符合IEC 60156等标准,适用于高电压隔离要求的应用场合。
FGH60N60UF 广泛应用于各类高功率电力电子设备中,包括:
工业变频器和伺服驱动器:用于控制三相交流电机的转速和扭矩,提供高效的电机控制方案。
不间断电源(UPS):在逆变器电路中实现高效的电能转换,确保在电网故障时仍能提供稳定的交流电源。
太阳能逆变器:用于将光伏板产生的直流电转换为交流电并馈入电网,具备高效率和高可靠性的特点。
电动汽车充电设备:作为功率转换模块的核心器件,实现高效的电能变换和充电控制。
感应加热和电焊设备:用于高频电源转换系统,实现高效的能量传输和控制。
家电变频器:如变频空调、洗衣机等,提高能效和运行稳定性。
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