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FGH60N60SMD 发布时间 时间:2023/12/19 17:15:41 查看 阅读:153

产品种类: IGBT 晶体管

目录

概述

制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
封装 / 箱体: TO-247
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极击穿电压: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.9 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
集电极最大连续电流 Ic: 120 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
功率耗散: 600 W
封装: Tube
最大工作温度: + 150

最小工作温度: - 55

安装风格: Through Hole

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FGH60N60SMD参数

  • 标准包装150
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型场截止
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.5V @ 15V,60A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)120A
  • 功率 - 最大600W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247-3
  • 包装管件