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FGH40T120SMD 发布时间 时间:2025/4/30 9:41:00 查看 阅读:29

FGH40T120SMD 是一款基于硅材料制造的 N 沟道功率场效应晶体管(MOSFET),主要适用于高效率开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用。该器件采用 SMD 封装形式,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,能够有效减少功率损耗并提升系统性能。
  FGH40T120SMD 的设计使其非常适合需要高效能与紧凑尺寸的应用场景,例如消费类电子设备、工业控制以及汽车电子等领域。

参数

最大漏源电压:120V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:5mΩ
  栅极电荷:38nC
  开关时间:典型值 19ns(开启),46ns(关闭)
  工作结温范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:SMD

特性

FGH40T120SMD 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于降低功率损耗并提高整体转换效率。
  2. 较小的栅极电荷量,支持高频操作以满足现代开关电源的需求。
  3. 快速开关能力,可实现更低的开关损耗。
  4. 高度可靠的封装设计,提供卓越的热管理和机械稳定性。
  5. 广泛的工作温度范围,能够在极端环境下保持稳定运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且安全。

应用

FGH40T120SMD 主要应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 和 AC-DC 适配器。
  2. DC-DC 转换器及同步整流电路。
  3. 电机驱动和逆变器。
  4. 工业自动化控制和保护电路。
  5. 汽车电子中的负载切换和电池管理。
  6. 各种消费类电子产品中的功率管理模块。

替代型号

FGH60T120SMD, IRFZ44N, FDP5500

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FGH40T120SMD参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥76.16000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • IGBT 类型沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)80 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)160 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)2.4V @ 15V,40A
  • 功率 - 最大值555 W
  • 开关能量2.7mJ(开),1.1mJ(关)
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷370 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值40ns/475ns
  • 测试条件600V,40A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr)65 ns
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商器件封装TO-247-3