类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：600V
　　最大漏极电流(Id)：20A
　　导通电阻(Rds(on))：0.25Ω（典型值）
　　栅极电压(Vgs)：±20V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散(Pd)：80W

FGH20N60SFDTU_F085 的关键特性之一是其采用了Super Junction结构，显著降低了导通电阻并提高了耐压能力，从而提升了整体能效。其低Rds(on)值（典型0.25Ω）有助于减少导通损耗，使器件在高负载条件下仍能保持良好的热性能。此外，该MOSFET具有快速开关特性，适用于高频开关应用，从而减小电源系统的体积并提高效率。
　　该器件还具备良好的热稳定性和抗雪崩击穿能力，增强了在严苛工作环境下的可靠性和耐用性。TO-220封装形式便于安装和散热管理，适用于各种工业级应用。此外，FGH20N60SFDTU_F085的栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种驱动电路设计，提高了设计灵活性。
　　这款MOSFET在设计上优化了短路耐受能力，确保在异常工作条件下也能保持稳定运行，适用于需要高可靠性的电源系统。

FGH20N60SFDTU_F085 主要用于各类高效率电源转换系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC/DC Converter）、交流-直流电源适配器（AC/DC Adapter）、不间断电源（UPS）、工业电机驱动器、LED照明电源以及太阳能逆变器等。由于其具备高耐压、低导通电阻和高可靠性，该器件在工业自动化、通信电源、消费类电子产品以及新能源系统中均有广泛应用。
　　在开关电源应用中，该MOSFET可作为主开关管使用，实现高效能的能量转换；在UPS系统中，其快速开关特性有助于提高系统的响应速度和稳定性；在LED驱动电源中，低导通损耗有助于提升整体能效并降低发热。此外，该器件也可用于电机控制电路中的高频开关应用，提供稳定的性能。

FGH30N60SFDTU_F08A, FQA20N60, STF20N60DM2