FGH12040WD-F155是一款高性能的MOSFET功率晶体管,采用TO-263封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种电源管理应用,如开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等。其设计旨在提供高效的功率转换和卓越的热性能。
FGH12040WD-F155属于N沟道增强型MOSFET,支持较高的连续漏极电流,并能够在高频条件下保持较低的损耗。它广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。
最大漏源电压:40V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:155A
导通电阻:1.7mΩ(典型值)
总功耗:149W
工作结温范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-263
FGH12040WD-F155具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高额定电流能力,可满足大功率应用需求。
3. 快速开关性能,降低开关损耗,适合高频操作。
4. 优异的热稳定性,确保在高温环境下可靠运行。
5. 紧凑的封装设计,节省PCB空间。
6. 符合RoHS标准,环保无铅材料。
FGH12040WD-F155广泛用于以下应用场景:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的功率级开关。
3. 工业电机驱动及逆变器。
4. 电池管理系统(BMS)中的负载切换。
5. 电信设备中的高效功率转换。
6. 消费类电子产品中的电源管理模块。
FGH12040LD-F155, FGH12040WD-F150