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FGB3440G2_F085 发布时间 时间:2025/8/25 2:26:51 查看 阅读:3

FGB3440G2_F085 是一款由 Fairchild Semiconductor(安森美半导体)推出的双极型晶体管(BJT)阵列器件,属于高性能的 NPN/PNP 晶体管组合。该器件封装在一个小型化的表面贴装封装中,适合需要高增益、高频率响应和良好匹配特性的应用场景。FGB3440G2_F085 通常用于模拟电路、放大器、开关电路以及需要晶体管对匹配性的精密电子设计中。

参数

晶体管类型:NPN/PNP 晶体管阵列
  最大集电极-发射极电压(VCEO):40V
  最大集电极电流(IC):100mA
  最大功耗(PD):300mW
  增益带宽积(fT):250MHz
  增益(hFE):110-800(根据电流条件)
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:SOT-26(6引脚)

特性

FGB3440G2_F085 具备一系列优异的电气特性和设计优势。首先,其 NPN 和 PNP 晶体管组合在单个封装中提供了匹配的性能,这对于需要对称性设计的差分放大器和模拟电路至关重要。晶体管的增益(hFE)范围宽广,能够在不同电流条件下提供稳定的工作性能,适用于多种放大和开关应用。此外,该器件的增益带宽积高达 250MHz,使其适用于高频模拟信号处理和射频相关电路设计。FGB3440G2_F085 的 SOT-26 封装不仅节省空间,而且支持表面贴装工艺,提高了 PCB 布局的灵活性和制造效率。该器件还具有良好的热稳定性和可靠性,能够在较宽的温度范围内稳定工作,适用于工业级和消费类电子应用。
  在电气特性方面,FGB3440G2_F085 的最大集电极-发射极电压为 40V,能够承受较高的电压应力,同时最大集电极电流为 100mA,满足中等功率需求的应用。器件的最大功耗为 300mW,能够在小型封装中提供可靠的功率处理能力。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C,表明其具有较强的环境适应性,适合在严苛的工业环境中使用。

应用

FGB3440G2_F085 主要用于以下几类电子应用。首先,在模拟电路中,该器件常用于差分放大器、运算放大器的前级设计,以及需要晶体管匹配性的精密放大电路。其高频特性使其适用于射频信号放大、调制解调电路和无线通信前端设计。其次,在开关电路中,FGB3440G2_F085 可用于构建高效率的逻辑开关、电平转换电路以及驱动小型继电器或 LED 显示模块。此外,该器件也广泛应用于音频放大器、传感器接口电路、电源管理电路以及消费类电子产品中的信号处理模块。由于其封装小巧、性能稳定,FGB3440G2_F085 也常用于便携式设备、工业自动化控制系统和嵌入式系统中的模拟信号处理。

替代型号

FGB3440G2_F085 的替代型号包括 BCM847BDSX、FMMT617 和 FMMT619,这些器件在某些电气特性或封装形式上具有相似性,可以在设计中进行替代。

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