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FGB20N6S2DT 发布时间 时间:2025/8/25 4:34:25 查看 阅读:30

FGB20N6S2DT是一款由富士电机(Fuji Electric)制造的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛用于电力电子设备中。该模块集成了多个IGBT芯片和反并联二极管,采用双列直插式封装(Dual-in-line Package, DIP),适用于需要高可靠性和紧凑设计的应用场合。FGB20N6S2DT主要用于逆变器、变频器和电机控制等电力电子系统。

参数

类型:IGBT模块
  额定集电极-发射极电压(Vce):600V
  额定集电极电流(Ic):20A
  最大工作温度:150℃
  封装类型:双列直插式(DIP)
  短路耐受能力:有
  工作温度范围:-40℃至+150℃

特性

FGB20N6S2DT具有高电压和高电流能力,适用于多种电力电子应用。该模块采用先进的IGBT技术,提供了低导通压降和开关损耗,从而提高了整体系统的效率。此外,FGB20N6S2DT具备良好的热稳定性和机械强度,能够在恶劣的环境条件下长时间运行。
  这款IGBT模块还集成了反并联二极管,简化了外部电路设计,并提高了系统的可靠性。FGB20N6S2DT采用双列直插式封装,便于安装和更换,适用于需要高可靠性和紧凑设计的电路板布局。此外,该模块具有较强的短路耐受能力,可以在异常工况下提供额外的安全保障。
  FGB20N6S2DT的工作温度范围为-40℃至+150℃,使其适用于各种工业环境。该模块还具备较高的绝缘性能,能够有效隔离高压部分与低压控制部分,确保系统的安全运行。

应用

FGB20N6S2DT广泛应用于变频器、逆变器、电机驱动器和工业自动化设备等电力电子系统中。由于其高可靠性和紧凑的设计,该模块特别适用于需要高效能和高稳定性的应用场景,例如电梯控制、空调系统、不间断电源(UPS)以及可再生能源系统中的功率转换部分。此外,FGB20N6S2DT也常用于电动车辆的电力控制系统,以及各种工业电机的变频调速装置。

替代型号

FGB20N6S2DT的替代型号包括FGB20N6S2D、FGB20N6S2DM、FGB20N6SDT等。

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FGB20N6S2DT参数

  • 制造商Fairchild Semiconductor
  • 配置Single
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO600 V
  • 栅极/发射极最大电压+/- 20 V
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 封装 / 箱体TO-263AB-3
  • 封装Reel
  • 集电极最大连续电流 Ic28 A
  • 最小工作温度- 55 C
  • 安装风格SMD/SMT