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FGA6530WDF 发布时间 时间:2025/6/22 11:53:22 查看 阅读:4

FGA6530WDF是一款N沟道增强型功率MOSFET,主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、负载开关等场景。该器件采用了先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,能够满足多种高效能应用的需求。
  FGA6530WDF属于Fairchild(现为ON Semiconductor)公司的产品系列,其卓越的电气性能和可靠性使其成为许多工业及消费类电子产品的理想选择。

参数

型号:FGA6530WDF
  类型:N-Channel MOSFET
  Vds(漏源极电压):60V
  Rds(on)(导通电阻,典型值):2.9mΩ
  Id(持续漏极电流):185A
  Ptot(总功耗):70W
  Vgs(栅源极电压):±20V
  f(工作频率):1MHz
  封装形式:TO-247-3L

特性

FGA6530WDF具备以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),可显著降低导通损耗,提升系统效率。
  2. 高额定电流Id,适合高功率密度应用。
  3. 快速开关速度,支持高频操作,有助于减小滤波器和磁性元件尺寸。
  4. 优秀的热性能表现,确保长时间稳定运行。
  5. 静电防护设计,增强了器件的鲁棒性。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅封装。
  FGA6530WDF在高温环境下的稳定性较好,适用于严苛的工作条件。

应用

FGA6530WDF广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. DC-DC转换器中的同步整流或降压/升压电路。
  3. 电动工具、家用电器和工业设备中的电机驱动。
  4. 汽车电子系统的负载切换与控制。
  5. 大功率LED照明驱动电路。
  6. 各种需要高效能、高电流处理能力的电子设备。
  这款MOSFET凭借其优越的性能,在众多功率转换和控制应用中表现出色。

替代型号

IRFP2907, STP170N10F5, FGA6530WF

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FGA6530WDF参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态停产
  • IGBT 类型沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)60 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)90 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)2.2V @ 15V,30A
  • 功率 - 最大值176 W
  • 开关能量960μJ(开),162μJ(关)
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷37.4 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值12ns/42.4ns
  • 测试条件400V,30A,6 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr)81 ns
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
  • 供应商器件封装TO-3PN