您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > FGA50N100

FGA50N100 发布时间 时间:2025/8/25 1:35:26 查看 阅读:15

FGA50N100是一款由STMicroelectronics制造的高电压、高电流绝缘栅双极晶体管(IGBT),专为需要高效率和高可靠性的工业应用而设计。这款IGBT具备优异的导通和开关性能,适用于高功率场合,如逆变器、电机控制和电源系统。FGA50N100采用了先进的沟道栅场阻断(Field Stop)技术,使其在高压下具有较低的导通压降和较高的短路耐受能力。

参数

集电极-发射极电压(VCES):1000V
  集电极电流(IC):50A
  栅极-发射极电压(VGE):±20V
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  导通压降(VCE_sat):约2.1V(典型值)
  短路耐受能力:5μs @ VCE = 800V
  封装类型:TO-247
  安装方式:通孔安装

特性

FGA50N100具备多项先进特性,使其在高压和高功率应用中表现出色。
  首先,该器件具有1000V的集电极-发射极额定电压,适用于各种高电压操作环境,如太阳能逆变器和工业电机驱动器。其最大集电极电流为50A,能够在连续工作条件下提供稳定的性能。
  其次,FGA50N100采用了沟道栅场阻断技术,降低了导通压降,提高了能效。在典型工作条件下,导通压降约为2.1V,比传统IGBT更低,有助于减少功率损耗并提高系统效率。
  此外,该器件具有出色的短路耐受能力,可在高电压条件下承受短时间的短路电流,提高了系统的可靠性和安全性。其短路耐受能力可达5μs,在800V的集电极-发射极电压下仍能保持稳定运行。
  FGA50N100的栅极-发射极电压范围为±20V,允许使用标准的栅极驱动电路进行控制。其工作温度范围为-40°C至+150°C,适应各种恶劣的工作环境,同时支持快速开关操作,减少开关损耗。
  最后,该IGBT采用TO-247封装形式,具有良好的散热性能,适用于高功率密度设计。通孔安装方式便于在PCB上固定,同时支持多种散热方案,确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。

应用

FGA50N100广泛应用于需要高压和高电流能力的工业和电力电子系统。其典型应用包括:
  1. 太阳能逆变器:在光伏系统中,FGA50N100可用于直流到交流的转换,提供高效率的能量转换能力。
  2. 电机驱动器:适用于工业电机控制和变频器,提供高功率输出和稳定的运行性能。
  3. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,该IGBT可用于高效能的电源切换和能量管理。
  4. 感应加热设备:由于其高电流和高开关频率能力,FGA50N100适用于高频感应加热应用。
  5. 电动汽车充电系统:该器件可用于电动汽车充电器的功率转换部分,提供高效能和高可靠性。
  6. 工业电源和焊接设备:适用于高功率电源和焊接机,提供稳定和高效的能量输出。

替代型号

FGA60N100、FGA30N100、FGA40N100

FGA50N100推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

FGA50N100资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载