FGA50N100 时间：2025/8/25 1:35:26 阅读：24

FGA50N100是一款由STMicroelectronics制造的高电压、高电流绝缘栅双极晶体管（IGBT），专为需要高效率和高可靠性的工业应用而设计。这款IGBT具备优异的导通和开关性能，适用于高功率场合，如逆变器、电机控制和电源系统。FGA50N100采用了先进的沟道栅场阻断（Field Stop）技术，使其在高压下具有较低的导通压降和较高的短路耐受能力。

参数

集电极-发射极电压（VCES）：1000V
　　集电极电流（IC）：50A
　　栅极-发射极电压（VGE）：±20V
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　导通压降（VCE_sat）：约2.1V（典型值）
　　短路耐受能力：5μs @ VCE = 800V
　　封装类型：TO-247
　　安装方式：通孔安装

特性

FGA50N100具备多项先进特性，使其在高压和高功率应用中表现出色。
　　首先，该器件具有1000V的集电极-发射极额定电压，适用于各种高电压操作环境，如太阳能逆变器和工业电机驱动器。其最大集电极电流为50A，能够在连续工作条件下提供稳定的性能。
　　其次，FGA50N100采用了沟道栅场阻断技术，降低了导通压降，提高了能效。在典型工作条件下，导通压降约为2.1V，比传统IGBT更低，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
　　此外，该器件具有出色的短路耐受能力，可在高电压条件下承受短时间的短路电流，提高了系统的可靠性和安全性。其短路耐受能力可达5μs，在800V的集电极-发射极电压下仍能保持稳定运行。
　　FGA50N100的栅极-发射极电压范围为±20V，允许使用标准的栅极驱动电路进行控制。其工作温度范围为-40°C至+150°C，适应各种恶劣的工作环境，同时支持快速开关操作，减少开关损耗。
　　最后，该IGBT采用TO-247封装形式，具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。通孔安装方式便于在PCB上固定，同时支持多种散热方案，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。

应用

FGA50N100广泛应用于需要高压和高电流能力的工业和电力电子系统。其典型应用包括：
　　1. 太阳能逆变器：在光伏系统中，FGA50N100可用于直流到交流的转换，提供高效率的能量转换能力。
　　2. 电机驱动器：适用于工业电机控制和变频器，提供高功率输出和稳定的运行性能。
　　3. 不间断电源（UPS）：在UPS系统中，该IGBT可用于高效能的电源切换和能量管理。
　　4. 感应加热设备：由于其高电流和高开关频率能力，FGA50N100适用于高频感应加热应用。
　　5. 电动汽车充电系统：该器件可用于电动汽车充电器的功率转换部分，提供高效能和高可靠性。
　　6. 工业电源和焊接设备：适用于高功率电源和焊接机，提供稳定和高效的能量输出。