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FGA25N120QL 发布时间 时间:2025/8/24 22:29:41 查看 阅读:3

FGA25N120QL是一款由Fairchild(飞兆半导体,现为安森美半导体的一部分)制造的高性能IGBT(绝缘栅双极型晶体管),适用于高功率和高频率的开关应用。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降特性,具有优良的导通和开关性能。FGA25N120QL采用TO-247封装,适合用于各种电力电子设备中。

参数

型号:FGA25N120QL
  类型:IGBT
  封装:TO-247
  最大集电极-发射极电压(Vce):1200V
  最大集电极电流(Ic):25A
  栅极-发射极电压(Vge):±20V
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  短路耐受能力:6μs
  导通压降(Vce_sat):典型值2.1V(Ic=25A)
  输入电容(Cies):典型值1900pF
  输出电容(Coes):典型值150pF
  反向恢复时间(trr):典型值1.5μs

特性

FGA25N120QL具备一系列出色的电气和热性能,适用于高功率密度和高效率的设计需求。其关键特性包括:
  1. **高电压和高电流能力**:该IGBT可承受高达1200V的集电极-发射极电压,并支持25A的最大集电极电流,使其适用于中高功率应用。
  2. **低导通压降**:在额定电流下,导通压降典型值为2.1V,有助于减少导通损耗,提高整体系统效率。
  3. **快速开关特性**:具有较短的反向恢复时间和优化的开关损耗,适用于高频开关应用,如变频器、电机驱动和电源转换系统。
  4. **强大的短路耐受能力**:可承受最高6μs的短路电流,提高了在异常工况下的可靠性。
  5. **热稳定性好**:采用先进的芯片技术和封装设计,确保在高温环境下仍能稳定工作。
  6. **易于并联使用**:由于其正温度系数特性,多个FGA25N120QL可以并联使用以提升电流能力,而无需额外的均流电路。
  7. **保护功能**:内置的栅极保护电路可防止过高的栅极电压导致器件损坏,提高系统稳定性与寿命。

应用

FGA25N120QL广泛应用于多种高功率电子系统中,包括但不限于:
  1. **工业电机驱动器**:如变频器、伺服驱动器等,用于控制三相交流电机的速度和转矩。
  2. **可再生能源系统**:如太阳能逆变器和风力发电变流器,用于将直流电转换为交流电并馈入电网。
  3. **电动汽车充电设备**:作为主开关元件用于AC/DC或DC/DC转换模块。
  4. **不间断电源(UPS)**:用于实现高效的电能转换与稳定输出。
  5. **感应加热设备**:如电磁炉、工业加热系统等,需要高频逆变器的场合。
  6. **智能电网和储能系统**:用于能量回馈、双向变换器等拓扑结构。
  7. **家电和消费电子产品**:如高端洗衣机、空调等需要高效能功率控制的设备。
  8. **焊接设备**:如逆变式电焊机,利用IGBT的快速开关特性来实现精确的电流控制。

替代型号

FGA25N120AND, FGL40N120AND, FGA25N120ANTD, FGH25N120LSD

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