型号：RSR015P06FRA
　　通道类型：P沟道
　　漏源电压（VDS）：-60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-15A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-60A
　　导通电阻RDS(on)：15mΩ（@ VGS = -10V, ID = -7.5A）
　　导通电阻RDS(on)：18mΩ（@ VGS = -4.5V, ID = -6A）
　　导通电阻RDS(on)：20mΩ（@ VGS = -2.5V, ID = -3A）
　　栅极阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.5V
　　输入电容（Ciss）：约1900pF（@ VDS=20V）
　　反向恢复时间（trr）：约30ns
　　工作结温范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：PowerPAK SO-8L

RSR015P06FRA的核心优势在于其超低导通电阻与高电流承载能力的完美结合，这使其在同类P沟道MOSFET中表现出色。其典型的RDS(on)仅为15mΩ（在VGS=-10V时），显著降低了导通状态下的功率损耗，这对于需要长时间持续供电的电池驱动设备至关重要，有助于延长续航时间并减少散热需求。该器件采用优化的沟槽栅结构，不仅提升了载流子迁移效率，还有效抑制了短沟道效应，确保在高温和高电压应力下仍能维持稳定的电气性能。其低栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性使得开关速度更快，动态响应优异，适用于高频开关电源拓扑结构，如同步降压或反激式转换器中的上管开关应用。
　　此外，RSR015P06FRA具备出色的热稳定性与长期可靠性。PowerPAK SO-8L封装去除了传统引线框架的设计限制，通过铜夹片连接芯片与外部引脚，大幅降低了封装本身的寄生电阻和热阻，提高了散热效率。这种结构使得即使在满载工作状态下，器件也能保持较低的工作温度，避免因过热导致性能下降或损坏。该封装还具有较强的抗机械应力能力，适合自动化贴片生产流程，并能在振动或冲击环境中保持可靠的电气连接。
　　另一个关键特性是其良好的栅极驱动兼容性。由于其负向栅极阈值电压适中（典型值-2.0V），能够在常见的3.3V逻辑电平下充分导通，无需额外的电平转换电路或专用驱动IC，降低了系统复杂度和成本。同时，器件对dv/dt噪声具有一定的免疫力，减少了误触发的风险，提升了系统在电磁干扰环境下的稳定性。内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，可在负载突变或断电瞬间提供有效的电流泄放路径，防止电压尖峰对主控芯片造成损害，从而增强整个电源系统的安全性和耐用性。

RSR015P06FRA广泛应用于多种中高功率电源管理系统中，尤其适合需要高效能P沟道MOSFET作为高端开关的场合。常见应用包括笔记本电脑和平板电脑的电池电源切换电路，用于控制主电池与备用电源之间的无缝切换；在智能手机和其他便携式消费电子产品中，用作负载开关以实现各功能模块的独立供电管理，达到节能目的。该器件也常用于DC-DC转换器中的同步整流或高端驱动部分，特别是在非隔离式降压（Buck）变换器中替代传统的肖特基二极管，以提高转换效率并降低温升。
　　在工业控制领域，RSR015P06FRA可用于PLC模块、传感器供电单元及电机驱动电路中的电源通断控制，其高可靠性和宽温度范围支持恶劣工业环境下的长期运行。汽车电子方面，该器件可应用于车载信息娱乐系统、ADAS辅助驾驶模块、LED照明驱动以及车身控制模块（BCM）中的电源分配单元，满足车规级对耐温、抗震和寿命的要求。此外，在UPS不间断电源、服务器电源管理单元和热插拔电源背板中，RSR015P06FRA凭借其快速响应能力和过载承受力，成为理想的高端开关选择，保障系统在带电插拔或突发断电情况下的平稳运行。

RSHU015P06FV
　　RSX015N06FV
　　AOZ8015PI