类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　漏极电流（ID）@25°C：15A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.42Ω @ VGS=10V
　　功率耗散（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220F

FGA15N60RUFD具有多项显著特性，适用于高功率和高可靠性应用。
　　首先，该MOSFET的漏源电压高达600V，适合用于高电压电源系统，如AC/DC转换器和PFC（功率因数校正）电路。其15A的最大漏极电流能力使其能够在较高负载条件下稳定运行，同时具备良好的热性能。
　　其次，FGA15N60RUFD的导通电阻仅为0.42Ω，在同类产品中处于较低水平，有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，该器件采用了优化的硅片设计，使得开关损耗较低，适用于高频开关应用。
　　在封装方面，FGA15N60RUFD采用TO-220F封装，具备良好的散热性能，并且封装内部集成了快速恢复二极管（FRD），有助于减少外部元件数量，提高系统的集成度和可靠性。
　　该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定工作，提高了器件的耐用性和系统稳定性。其栅极驱动电压范围较宽（±30V），兼容常见的驱动电路设计，便于在多种应用中实现高效控制。

FGA15N60RUFD广泛应用于各类高电压、高效率功率转换系统中。在开关电源（SMPS）中，它常用于主开关管，适用于AC/DC转换器、PFC电路和DC-DC转换拓扑。由于其具备高电压和大电流能力，该器件也适用于工业电机驱动、不间断电源（UPS）、光伏逆变器以及LED照明驱动电源。
　　此外，FGA15N60RUFD的集成快速恢复二极管使其在反激式变换器（Flyback Converter）和Boost升压电路中表现出色，减少了外部续流二极管的需求，简化了电路设计。在电机控制和家电应用中，该器件可用于实现高效的功率调节和负载驱动。
　　由于其良好的热稳定性和抗干扰能力，FGA15N60RUFD也适用于恶劣环境下的工业控制设备和电源管理系统，为系统提供高可靠性和长使用寿命。

FGA20N60RUFD, FGP15N60UFD, FQA15N60C, FCP15N60