时间：2025/7/29 11:57:46
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FG50N06L是一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于高功率和高频开关应用。该器件由FG（飞虹）微电子制造，是一款N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，适用于DC-DC转换器、电源管理、电机控制和电源开关系统。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：50A
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：≤28mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-252（DPAK）或TO-263（D2PAK）
功耗（PD）：100W
FG50N06L具有极低的导通电阻，使其在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高系统的整体效率。其优化的栅极设计提供了快速开关能力，适合用于高频转换器和同步整流电路。此外，该器件具有良好的热性能，能够在高温环境下稳定运行，增强了其可靠性和耐用性。
该MOSFET采用了先进的沟槽式工艺，显著降低了RDS(on)，同时提高了电流承载能力。其坚固的结构设计和高耐压特性使其适用于各种严苛工作条件下的电源系统。FG50N06L还具备较高的抗雪崩能力，能够承受瞬时过电压，提高了器件在复杂电路中的安全性。
FG50N06L广泛应用于各类电力电子系统中，包括但不限于：
? 电源管理模块
? DC-DC降压/升压转换器
? 电池管理系统（BMS）
? 电机驱动与控制
? 开关电源（SMPS）
? 逆变器与UPS系统
? 电动工具与电动车控制器
由于其高效率和紧凑封装，该器件特别适用于空间受限且对性能要求较高的设计。
IPD50N06S4-03, FDD50N06, STP50N06F4, IRF50N06D
