时间：2025/8/9 5:20:49
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2SK2643-01是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理和功率放大器等高效率开关电路中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供较低的导通电阻（Rds(on)），从而减少功率损耗并提高整体系统效率。该MOSFET适用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关以及高功率音频放大器等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：12A
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：25mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOP（表面贴装封装）
2SK2643-01具有多项关键性能特性，使其在多种电源管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体效率。其次，该器件支持高达12A的连续漏极电流，适用于中高功率应用。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和较高的工作温度耐受性，能够在严苛的环境条件下稳定运行。其SOP封装设计有助于提高PCB布局的紧凑性，并简化自动化生产流程。最后，该MOSFET具备较快的开关速度，适用于高频开关应用，有助于减小外围元件的尺寸和成本。
2SK2643-01适用于多种功率电子系统，包括但不限于：高效DC-DC转换器、同步整流电路、电池管理系统、负载开关、高功率音频放大器以及工业控制和电源管理系统。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适合对效率和散热要求较高的应用。
2SK2643-01的替代型号包括2SK2643、2SK2643-01L、2SK2643-01S、Si4410BDY、IRLZ44N、NTMFS4C10N、FDMS86101
