FFSH10120A 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 1200V、10A 的碳化硅(SiC)肖特基二极管。该器件采用先进的碳化硅技术,具有低正向压降、高反向阻断电压、快速开关速度以及出色的热管理能力,适用于高功率、高频的电力电子系统。FFSH10120A 采用 TO-220-2L 封装,便于安装和散热,适用于多种工业电源应用。
最大重复峰值反向电压:1200V
正向电流(平均):10A
正向压降(IF=10A,TC=25°C):1.55V(最大)
反向漏电流(VR=1200V,TC=25°C):100μA(最大)
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
存储温度范围:-55°C 至 +175°C
FFSH10120A 碳化硅肖特基二极管具有多项显著优势。首先,其高反向击穿电压(1200V)使其适用于高压功率变换系统,如工业电源、太阳能逆变器和电动车充电系统。其次,该器件在导通状态下的正向压降较低,典型值在1.55V以下,从而减少了导通损耗,提高了系统效率。
此外,FFSH10120A 拥有极低的反向恢复电荷(Qrr)和极短的反向恢复时间(trr),这使得其在高频开关应用中表现出色,能够有效降低开关损耗,提升系统整体性能。由于采用碳化硅材料,该二极管还具备优异的热稳定性,能够在高温环境下稳定运行,提升了系统的可靠性和使用寿命。
FFSH10120A 碳化硅肖特基二极管广泛应用于高功率、高频率的电力电子系统中。典型应用包括太阳能逆变器中的升压二极管、电动车充电系统中的整流器、工业电源与服务器电源的功率因数校正(PFC)电路、高频DC-DC转换器以及不间断电源(UPS)系统。此外,该器件还可用于高频感应加热、焊接设备以及各种高效率、高功率密度的电源模块设计中。
C3D10060A、C3D10065A、FFSH15120A