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C5D10170H 发布时间 时间:2025/8/28 20:00:25 查看 阅读:8

C5D10170H 是一款由 Central Semiconductor(中央半导体)制造的表面贴装(SMD)双极性晶体管(BJT),属于 NPN 型晶体管。这款晶体管在电子设计中被广泛用于开关和放大应用,特别是在中功率和高频电路中表现优异。其封装形式为 SOT-223,具有良好的热性能和稳定的工作特性,适合在工业控制、电源管理、通信设备和消费类电子产品中使用。

参数

类型:NPN 双极性晶体管
  集电极-发射极电压(VCEO):100V
  集电极-基极电压(VCBO):120V
  发射极-基极电压(VEBO):5V
  集电极电流(IC):1.5A
  功率耗散(PD):1.5W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-223

特性

C5D10170H 晶体管具有优异的电气特性和稳定的性能,适用于多种应用场景。其最大集电极-发射极电压为 100V,能够在较高的电压环境下稳定工作。该晶体管的集电极电流可达 1.5A,适合中功率放大和开关应用。
  采用 SOT-223 封装,C5D10170H 具有良好的散热性能,适用于表面贴装工艺,提高了 PCB 布局的灵活性和生产效率。其高功率耗散能力(1.5W)使其在高负载条件下仍能保持良好的工作状态。
  该晶体管的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,具有良好的温度适应性,适用于工业级和汽车电子应用。其低饱和压降(VCE(sat))确保在导通状态下功耗较低,提高了整体系统的效率。
  此外,C5D10170H 的结构设计优化了其频率响应,使其在高频应用中也能表现出色,适用于射频(RF)和开关电源等电路。

应用

C5D10170H 主要用于中功率开关和放大器电路,适用于多种电子设备和系统。它常用于电源管理模块,如 DC-DC 转换器、电机驱动器和负载开关。在工业控制系统中,该晶体管可用于继电器驱动、LED 驱动和传感器信号放大。
  由于其高频性能良好,C5D10170H 也可用于射频(RF)放大器和低噪声前置放大器。在消费类电子产品中,如音频放大器、充电器和适配器中,该晶体管能够提供高效的功率控制和稳定的输出。
  在汽车电子领域,该晶体管适用于车身控制模块、车载娱乐系统和电池管理系统等应用。其宽工作温度范围和高可靠性使其在严苛环境中依然能够稳定运行。

替代型号

PN2222A, BCX70, MMBT2222A, 2N4401

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C5D10170H参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列Z-Rec?
  • 包装管件
  • 产品状态停产
  • 技术SiC(Silicon Carbide)Schottky
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)1700 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)33A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.8 V @ 10 A
  • 速度无恢复时间 > 500mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)0 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏200 μA @ 1700 V
  • 不同?Vr、F 时电容830pF @ 0V,1MHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-2
  • 供应商器件封装TO-247-2
  • 工作温度 - 结-55°C ~ 175°C