IXGA10N60是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET晶体管,广泛应用于需要高效率和高性能的电力电子设备中。该器件采用先进的平面技术制造,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。IXGA10N60的工作电压为600V,最大连续漏极电流可达10A,适用于开关电源、电机驱动、照明系统以及各种高电压、高频率的应用场景。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):600V
栅源电压(Vgs):±20V
最大漏极电流(Id):10A
导通电阻(Rds(on)):0.75Ω(典型值)
功耗(Pd):125W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:TO-247AC
IXGA10N60具备多项优越的电气和热性能,适用于高功率应用。首先,其导通电阻Rds(on)较低,仅为0.75Ω,这意味着在导通状态下,器件的功率损耗较小,有助于提高系统效率。此外,该MOSFET具有较高的开关速度,能够适应高频工作环境,减少开关损耗并提升整体性能。
该器件的封装形式为TO-247AC,具有良好的散热能力,能够有效降低工作温度,提高可靠性和寿命。IXGA10N60还具备良好的短路和过载保护能力,能够在一定程度上承受异常工作条件,从而提高系统的稳定性。
其栅极驱动特性也较为友好,允许使用标准的10V至15V栅极驱动电压,便于与多种控制器和驱动电路配合使用。这种设计降低了外围电路的复杂性,同时提高了系统集成度。
在热性能方面,IXGA10N60的热阻较低,能够快速将热量从芯片传导到外部散热器,从而保持芯片温度在安全范围内。这对于高功率密度设计尤为重要,特别是在空间受限的应用中。
IXGA10N60由于其高耐压、低导通电阻和良好的开关性能,被广泛应用于多个领域。在开关电源(SMPS)中,它常用于DC-DC转换器、PFC(功率因数校正)电路和AC-DC电源模块,以提高转换效率并减少发热。
在电机驱动应用中,IXGA10N60可以用于H桥驱动电路,为直流电机、步进电机或伺服电机提供高效、稳定的功率控制。其高开关速度有助于减少电机控制中的能量损耗,提高响应速度。
此外,该MOSFET还适用于LED照明系统中的电源管理模块,特别是在高压LED驱动电路中表现优异。它也可用于工业自动化设备、不间断电源(UPS)系统、太阳能逆变器以及各种高电压、高频率的电力电子设备中。
在消费类电子产品中,IXGA10N60可用于电源适配器、充电器和家用电器中的功率控制模块。
STP10NK60Z, FQA10N60, IRFPC50