类型：IGBT 模块
　　集电极-发射极电压（VCES）：1200V
　　额定集电极电流（IC）：40A
　　短路耐受能力：60A（最大）
　　最大工作温度：150°C
　　封装形式：模块型（Module）
　　短路电流额定值：60A（最大）
　　栅极驱动电压范围：-20V ~ +20V
　　导通压降（VCEsat）：约1.75V（典型值）
　　开关损耗（Eon/Eoff）：Eon ≈ 0.8mJ，Eoff ≈ 1.2mJ（典型值）

FFMAF104 是一款高性能的 IGBT 模块，采用了富士电机先进的硅芯片技术，具备优异的导通和开关特性。其导通压降较低，约为1.75V，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。同时，该模块的开关损耗也得到了优化，Eon 和 Eoff 分别为0.8mJ 和1.2mJ，使其在高频应用中表现出色。
　　此外，FFMAF104 具有较高的短路耐受能力，能够承受高达60A的短路电流，提高了系统的可靠性和安全性。其最大工作温度为150°C，适用于较为严苛的工作环境。模块的封装设计确保了良好的热管理和机械稳定性，有助于延长器件的使用寿命。
　　该模块还支持宽范围的栅极驱动电压（-20V 至 +20V），使其能够适应不同的驱动电路设计，提供更大的设计灵活性。由于其优异的电气和热性能，FFMAF104 非常适合用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统。

FFMAF104 主要用于各种中高功率电力电子系统中，如工业电机驱动器、逆变器、UPS（不间断电源）、电焊机以及新能源系统（如太阳能逆变器和风力发电变流器）。由于其优异的电气性能和可靠性，该模块也广泛应用于电动汽车充电设备和储能系统中。

FFMAF104 可以被 FFMAF106、FFMAF107、FGA40N120ANTD 等型号替代。这些型号在电压、电流能力和封装形式上具有相似或更高的性能，适用于类似的电力电子应用。在选择替代型号时，建议根据具体的应用需求和电路设计进行详细评估。