时间：2025/4/30 16:23:43
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LQW15AN4N4G80D 是一款由罗姆（ROHM）公司生产的高效能、低导通电阻的 N 沁道场效应晶体管（MOSFET）。该产品主要应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等场景。其出色的导通特性和开关性能，使得它在高频应用中具有显著优势。同时，该器件采用小型封装技术，适合对空间要求严格的电路设计。
型号：LQW15AN4N4G80D
类型：N-channel MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：40V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：79A
导通电阻(Rds(on))：4mΩ (典型值，当 Vgs=10V)
总功耗(Ptot)：65W
工作温度范围(Ta)：-55°C to +175°C
封装形式：TO-Leadless (TOLL4N4G80D 具有以下突出特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，仅为 4mΩ，能够有效降低功率损耗。
2. 高速开关能力，可满足高频应用需求。
3. 支持高电流操作，最大连续漏极电流 Id 可达 79A。
4. 小型化封装 TOLL，节省 PCB 空间。
5. 宽工作温度范围 -55°C 至 +175°C，适应恶劣环境。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
这些特性使该器件非常适合用于高效率、高密度的功率转换应用。
LQW15AN4N4G80D 的典型应用包括：
1. 开关电源（Switching Power Supplies）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动（Motor Drivers）
4. 负载开关（Load Switches）
5. 工业设备中的功率控制
6. 通信电源系统
7. 汽车电子中的电源管理
由于其出色的性能和可靠性，这款 MOSFET 在工业、消费类电子以及汽车领域均得到了广泛应用。
LQW15AN4N4G, IRFZ44N, FDP5800
