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LQW15AN4N4G80D 发布时间 时间:2025/4/30 16:23:43 查看 阅读:26

LQW15AN4N4G80D 是一款由罗姆(ROHM)公司生产的高效能、低导通电阻的 N 沁道场效应晶体管(MOSFET)。该产品主要应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等场景。其出色的导通特性和开关性能,使得它在高频应用中具有显著优势。同时,该器件采用小型封装技术,适合对空间要求严格的电路设计。

参数

型号:LQW15AN4N4G80D
  类型:N-channel MOSFET
  最大漏源电压(Vdss):40V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):79A
  导通电阻(Rds(on)):4mΩ (典型值,当 Vgs=10V)
  总功耗(Ptot):65W
  工作温度范围(Ta):-55°C to +175°C
  封装形式:TO-Leadless (TOLL4N4G80D 具有以下突出特性:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),仅为 4mΩ,能够有效降低功率损耗。
  2. 高速开关能力,可满足高频应用需求。
  3. 支持高电流操作,最大连续漏极电流 Id 可达 79A。
  4. 小型化封装 TOLL,节省 PCB 空间。
  5. 宽工作温度范围 -55°C 至 +175°C,适应恶劣环境。
  6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
  这些特性使该器件非常适合用于高效率、高密度的功率转换应用。

应用

LQW15AN4N4G80D 的典型应用包括:
  1. 开关电源(Switching Power Supplies)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电机驱动(Motor Drivers)
  4. 负载开关(Load Switches)
  5. 工业设备中的功率控制
  6. 通信电源系统
  7. 汽车电子中的电源管理
  由于其出色的性能和可靠性,这款 MOSFET 在工业、消费类电子以及汽车领域均得到了广泛应用。

替代型号

LQW15AN4N4G, IRFZ44N, FDP5800

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LQW15AN4N4G80D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.61666卷带(TR)
  • 系列*
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 类型-
  • 材料 - 磁芯-
  • 电感-
  • 容差-
  • 额定电流(安培)-
  • 电流 - 饱和 (Isat)-
  • 屏蔽-
  • DC 电阻 (DCR)-
  • 不同频率时 Q 值-
  • 频率 - 自谐振-
  • 等级-
  • 工作温度-
  • 电感频率 - 测试-
  • 特性-
  • 安装类型-
  • 封装/外壳-
  • 供应商器件封装-
  • 大小 / 尺寸-
  • 高度 - 安装(最大值)-