LQW15AN4N4G80D 是一款由罗姆(ROHM)公司生产的高效能、低导通电阻的 N 沁道场效应晶体管(MOSFET)。该产品主要应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等场景。其出色的导通特性和开关性能,使得它在高频应用中具有显著优势。同时,该器件采用小型封装技术,适合对空间要求严格的电路设计。
型号:LQW15AN4N4G80D
类型:N-channel MOSFET
最大漏源电压(Vdss):40V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):79A
导通电阻(Rds(on)):4mΩ (典型值,当 Vgs=10V)
总功耗(Ptot):65W
工作温度范围(Ta):-55°C to +175°C
封装形式:TO-Leadless (TOLL4N4G80D 具有以下突出特性:
1. 极低的导通电阻 Rds(on),仅为 4mΩ,能够有效降低功率损耗。
2. 高速开关能力,可满足高频应用需求。
3. 支持高电流操作,最大连续漏极电流 Id 可达 79A。
4. 小型化封装 TOLL,节省 PCB 空间。
5. 宽工作温度范围 -55°C 至 +175°C,适应恶劣环境。
6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
这些特性使该器件非常适合用于高效率、高密度的功率转换应用。
LQW15AN4N4G80D 的典型应用包括:
1. 开关电源(Switching Power Supplies)
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动(Motor Drivers)
4. 负载开关(Load Switches)
5. 工业设备中的功率控制
6. 通信电源系统
7. 汽车电子中的电源管理
由于其出色的性能和可靠性,这款 MOSFET 在工业、消费类电子以及汽车领域均得到了广泛应用。
LQW15AN4N4G, IRFZ44N, FDP5800