FFM207 时间：2025/8/14 1:20:15 阅读：6

FFM207 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于各种电力电子设备中，例如电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器和电池管理系统等。FFM207 的设计旨在提供高效、低导通损耗和快速开关性能，适用于高功率密度和高效率要求的应用场景。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压 (VDS)：200V
　　连续漏极电流 (ID)：160A
　　导通电阻 (RDS(on))：典型值为 3.5mΩ（最大值可能为 4.5mΩ）
　　栅极电压 (VGS)：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-263（表面贴装）或 TO-220（通孔）
　　功率耗散 (PD)：约 200W

特性

低导通电阻：FFM207 具有非常低的 RDS(on)，这有助于减少导通损耗，提高整体效率，非常适合高电流应用。
　　高电流能力：该器件支持高达 160A 的连续漏极电流，适合大功率负载的控制。
　　高耐压性：漏源电压额定值为 200V，使其适用于中高压电力电子系统。
　　优异的热性能：封装设计优化了热管理，能够有效散热，确保在高负载条件下稳定运行。
　　快速开关特性：FFM207 具有较低的开关损耗，适合高频开关应用，如 DC-DC 转换器和同步整流器。
　　高可靠性：在极端温度条件下（-55°C 至 +175°C）依然保持稳定性能，适用于工业和汽车环境。
　　静电放电（ESD）保护：具备一定的 ESD 耐受能力，增强了器件在制造和使用过程中的可靠性。

应用

电源管理：FFM207 常用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等，作为主开关或同步整流器，提高转换效率。
　　电机驱动：在电机控制电路中，该 MOSFET 可用于 H 桥驱动或电机控制器中，提供高效的功率控制。
　　电池管理系统：应用于电池充放电管理、电池均衡电路等，确保电池系统的安全和高效运行。
　　汽车电子：由于其高可靠性和宽温度范围，FFM207 适用于汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）、车载充电器（OBC）和电池管理系统（BMS）。
　　太阳能逆变器：在光伏逆变器中作为功率开关，实现高效的能量转换。
　　工业自动化：用于工业控制设备中的功率开关和负载管理，如变频器、伺服驱动器等。