时间：2025/4/29 15:56:37
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FFH30S60STU是一款基于硅技术的高压MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），专为高频开关应用设计。该器件采用N沟道增强型结构，具有低导通电阻、快速开关特性和高耐压能力，适用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等场景。
FFH30S60STU的主要特点是其优化的栅极电荷和输出电容参数，使其能够在高频条件下保持高效运行，同时提供较低的功耗。该器件采用了TO-247封装形式，便于散热管理并支持高电流应用。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：30A
导通电阻（典型值）：150mΩ
栅极电荷（Qg）：95nC
输入电容（Ciss）：2300pF
输出电容（Coss）：105pF
开关速度：超快恢复
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 高耐压能力，最大漏源电压达650V，适合高压应用场景。
2. 具备低导通电阻（Rds(on)），可降低传导损耗，提高效率。
3. 快速开关性能，栅极电荷小，能够有效减少开关损耗。
4. 工作温度范围宽广，从-55℃到+175℃，适应多种恶劣环境。
5. TO-247封装提供良好的散热性能，支持大功率操作。
6. 稳定性好，在高频开关条件下依然能保持较高的可靠性。
FFH30S60STU广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. DC-DC转换器，用于升压、降压或反激式拓扑结构。
3. 电机驱动电路，用于控制直流无刷电机或其他类型电机。
4. 太阳能逆变器和其他新能源相关设备。
5. 各类工业自动化设备及高功率电子负载。
FFH30S60SPT, IRFP460, STP30NF60
