FFAS490 时间：2025/8/12 16:14:19 阅读：5

FFAS490 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率功率转换应用设计。该器件采用先进的技术，具备低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和卓越的热性能，适用于各种功率管理场景，如电源转换器、电机驱动和负载开关等。FFAS490 通常采用 TO-220 或 D2PAK 封装形式，便于散热和安装。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：900V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：11A（在 25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.44Ω（最大）
　　功率耗散（Ptot）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220 / D2PAK

特性

FFAS490 的主要特性之一是其低导通电阻，这使得器件在导通状态下的功率损耗显著降低，从而提高整体系统的效率。此外，该 MOSFET 具备高达 900V 的漏源击穿电压，能够在高压环境下稳定运行。
　　该器件还具有优异的热稳定性与散热性能，得益于其高效的封装设计，能够有效降低工作温度并延长使用寿命。这种特性对于在高负载条件下运行的应用尤为重要。
　　FFAS490 的栅极驱动要求较低，可在标准逻辑电平下工作，使其与常见的微控制器或驱动 IC 兼容性良好。此外，该器件具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性，进一步增强了其在严苛工作环境下的可靠性。
　　在动态性能方面，FFAS490 具有快速开关特性，减少了开关损耗，并支持高频操作，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和逆变器等应用。

应用

FFAS490 常用于各种高功率和高电压的电子系统中。例如，在开关电源（SMPS）中，它可以用作主开关器件，实现高效的能量转换。在电机控制应用中，FFAS490 可用于 H 桥结构中的功率开关，提供精确的电机驱动能力。
　　该器件也广泛应用于工业自动化设备、UPS（不间断电源）、电池充电器以及 LED 照明驱动电路。在这些应用中，FFAS490 的高耐压能力和低导通电阻使其成为理想的功率开关元件。
　　由于其良好的热性能和抗过载能力，FFAS490 还适用于需要长时间运行和高可靠性的系统，如工业电源、电焊机和太阳能逆变器等。此外，它也可用于汽车电子系统中的功率管理模块，如车载充电器和电动助力转向系统。