时间：2025/8/9 13:32:50
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FMP09N90E是一款由富士电机（Fuji Electric）制造的高耐压N沟道MOSFET，适用于高功率、高效率的电源系统。该器件采用了先进的平面型MOSFET技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高雪崩耐量的特性，适合用于如开关电源（SMPS）、电机控制、逆变器和工业电源等应用。FMP09N90E采用TO-3P封装，具备良好的热管理和机械稳定性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：900V
栅源电压（Vgs）：±30V
漏极电流（Id）：9A
导通电阻（Rds(on)）：约0.45Ω（典型值）
功率耗散（Pd）：80W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-3P
FMP09N90E具有多项优良特性，首先，其高达900V的漏源击穿电压（Vds）使其适用于高电压电源系统，如AC/DC转换器和高压DC/DC变换器。其次，该MOSFET具有较低的导通电阻，通常在0.45Ω左右，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具备较强的雪崩能量耐受能力，提高了在异常工作条件下的可靠性。FMP09N90E的栅极驱动电压范围较宽（±30V），增强了在不同驱动电路中的适用性。同时，其TO-3P封装形式具有良好的散热性能，有助于在高功率应用中保持稳定的热管理。
该MOSFET的开关性能优异，具有快速的上升和下降时间，适用于高频开关应用。其内部结构优化设计，减少了寄生电容，从而降低了开关损耗，提升了整体性能。FMP09N90E还具备良好的抗短路能力，适用于对可靠性和稳定性要求较高的工业设备。此外，该器件的封装设计便于安装和散热器连接，适用于高功率密度的设计需求。
FMP09N90E广泛应用于多种高电压和高功率场景，如开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动和工业自动化设备。在电源管理系统中，它常用于高压DC/DC转换器、PFC（功率因数校正）电路和高压负载开关。此外，该MOSFET也适用于高电压电池管理系统、充电设备和工业控制设备中的功率开关应用。其高可靠性和良好的热管理性能使其成为高温环境或恶劣工作条件下的理想选择。
FMP10N90E, FQA9N90C, FCP9N90
