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FF200R12KE3 发布时间 时间:2025/7/14 16:43:32 查看 阅读:9

FF200R12KE3是一款由英飞凌(Infineon)生产的IGBT模块,属于高性能功率半导体器件。该模块集成了一个IGBT芯片和一个快速恢复二极管(FWD),采用先进的沟槽栅场截止(Trench Field Stop)技术,提供高效能的开关性能和低导通压降。

参数

类型:IGBT模块
  最大集电极-发射极电压(VCES):1200V
  额定集电极电流(IC):200A
  封装形式:Easy 2B
  工作温度范围:-40°C至+150°C
  短路耐受能力:6μs
  热阻(RthJC):0.28 K/W
  绝缘等级:符合UL标准,隔离电压达2500V AC

特性

FF200R12KE3采用了英飞凌的Trench FS IGBT技术,显著降低了导通损耗和开关损耗,同时具备良好的短路保护能力,确保在高负载条件下稳定运行。
  其紧凑型设计和优化的热管理结构使得模块适用于高功率密度的应用场景,并且具有优异的可靠性与耐用性。
  该模块还内置了一个反向并联的快速恢复二极管,进一步提升了系统的整体效率和稳定性。
  此外,FF200R12KE3通过了严格的工业级测试,能够在高温、高压及高湿度环境下保持稳定的电气性能。

应用

FF200R12KE3广泛应用于各种电力电子设备中,如工业变频器、伺服驱动器、新能源汽车充电系统、太阳能逆变器以及储能系统等。
  由于其出色的性能和可靠性,该模块特别适合用于需要高频开关操作和高效率转换的场合,能够有效提升系统的整体效能。
  此外,在电动汽车领域,该模块可用于车载充电器和电机控制器中,满足对高功率密度和高可靠性的需求。

替代型号

FF200R12KT4

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FF200R12KE3参数

  • 制造商Infineon
  • 产品种类IGBT 晶体管
  • 配置Dual
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO1200 V
  • 集电极—射极饱和电压1.7 V
  • 栅极/发射极最大电压+/- 20 V
  • 在25 C的连续集电极电流200 A
  • 栅极—射极漏泄电流400 nA
  • 功率耗散1.05 KW
  • 最大工作温度+ 125 C
  • 封装 / 箱体IS5a ( 62 mm )-7
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格Screw
  • 工厂包装数量500