FF0396S 时间：2025/8/1 3:48:56 阅读：35

FF0396S是一款高性能、低功耗的场效应晶体管（MOSFET），主要用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有优异的导通电阻和开关性能，适用于各类高效率电源系统的设计。FF0396S通常封装在小型DFN或SOIC封装中，适合高密度PCB布局。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：6A
　　导通电阻（RDS(on)）：≤28mΩ（在VGS=10V）
　　功率耗散：2.5W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：DFN5x6

特性

FF0396S具备低导通电阻，这使得它在高电流应用中能够保持较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。其先进的制造工艺确保了良好的热稳定性，使得器件能够在较高的温度环境下稳定运行。此外，该MOSFET具有快速开关能力，有助于减少开关损耗并提升系统的动态响应性能。FF0396S还具备较高的耐用性和可靠性，在各种工作条件下都能保持稳定的性能表现。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V和12V驱动电压，便于在多种电路设计中使用。其小型封装设计不仅节省空间，还便于散热管理，适合高密度电路板设计。此外，FF0396S的制造符合RoHS环保标准，适用于环保型电子产品设计。