FF0245SS1 时间：2025/8/1 10:21:45 阅读：20

FF0245SS1 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高开关性能，适用于需要高效能和紧凑设计的电子系统。

参数

类型：N 沟道
　　最大漏极电流（ID）：4.5A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：20V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±12V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 24mΩ（在 VGS=4.5V 时）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6
　　安装类型：表面贴装
　　功率耗散（PD）：3.5W

特性

FF0245SS1 MOSFET 采用了先进的沟槽技术，提供了较低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。其低栅极电荷（Qg）特性使其在高频开关应用中表现出色，降低了开关损耗。此外，该器件具有良好的热性能，采用 PowerFLAT 封装，热阻较低，能够有效地将热量传导到 PCB 上，提高了器件的可靠性和寿命。
　　该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，支持从 2.5V 到 4.5V 的驱动电压，适用于多种控制器和驱动器电路。其具备较高的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。此外，FF0245SS1 还具备良好的抗静电性能，能够有效防止静电放电对器件的损害。

应用

FF0245SS1 广泛应用于各种电源管理系统，如 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统和电机控制电路。在同步整流器设计中，它能够有效提高转换效率，减少热量产生。此外，该器件还适用于便携式电子设备的电源管理模块，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的电源开关和调节电路。
　　由于其低导通电阻和高开关速度，FF0245SS1 也常用于高频率开关电源和逆变器设计中，能够有效减少功率损耗并提高系统的整体效率。在汽车电子系统中，如车载充电器和电动工具中，该 MOSFET 可以作为主开关元件，提供可靠的高电流开关能力。