FF0235SS1 时间：2025/8/1 6:48:30 阅读：16

FF0235SS1 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的 N 沟道功率 MOSFET。该器件专为高效率电源转换应用而设计，具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性。FF0235SS1 通常用于 DC-DC 转换器、同步整流、负载开关和电源管理系统中。该器件采用 DPAK（TO-252）封装，便于散热并适用于表面贴装工艺。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：8.3A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.0235Ω @ Vgs = 10V
　　功率耗散（Ptot）：62.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：DPAK（TO-252）

特性

FF0235SS1 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），仅为 0.0235Ω。这一特性使得器件在导通状态下具有极低的功率损耗，从而提高了系统的整体效率。此外，低 Rds(on) 还有助于减少发热，延长器件的使用寿命。
　　该 MOSFET 具有高达 30V 的漏源电压额定值，能够承受较高的电压应力，适用于多种电源转换和管理应用。其栅源电压额定值为 ±20V，确保了在各种驱动条件下的稳定运行。
　　FF0235SS1 采用 DPAK 封装，具备良好的散热性能。该封装设计有助于将热量快速传导到 PCB 上，从而降低热阻并提高器件在高负载条件下的可靠性。这种封装形式也便于自动化生产和表面贴装焊接。
　　该器件的最大连续漏极电流为 8.3A，能够满足大多数中高功率应用的需求。其功率耗散能力为 62.5W，确保在高电流条件下仍能保持稳定运行。
　　FF0235SS1 的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适用于工业级和汽车级应用环境。其宽泛的工作温度范围使得该器件能够在极端温度条件下保持稳定的电气性能。

应用

FF0235SS1 主要应用于电源管理系统，包括 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效能电源转换应用的理想选择。在 DC-DC 转换器中，该器件可以有效减少导通损耗，提高转换效率。
　　该 MOSFET 还常用于电池管理系统（BMS）和电动工具中的电源控制电路。其高耐压和低 Rds(on) 特性使其在高功率应用中表现出色，能够承受较大的电流和电压应力。
　　在汽车电子系统中，FF0235SS1 可用于车身控制模块、车载充电器和电动助力转向系统。其宽工作温度范围和高可靠性使其能够在恶劣的汽车环境中稳定运行。
　　此外，该器件还可用于工业自动化设备、服务器电源和消费类电子产品中的电源管理电路。其 DPAK 封装形式便于安装和散热，适用于多种 PCB 设计需求。