时间：2025/7/22 15:00:28
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FERD60M45C是一款由STMicroelectronics制造的N沟道增强型功率MOSFET。这款MOSFET专为高效率电源转换应用而设计，适用于如DC-DC转换器、电源管理系统和电机控制等场景。它采用了先进的制造工艺，提供了优异的导通电阻和开关性能，从而减少了功率损耗并提高了整体系统效率。该器件封装为TO-220，便于安装和散热管理。
类型：N沟道
最大漏源电压(Vds)：45V
最大漏极电流(Id)：60A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：在Vgs=10V时为0.018Ω
最大栅极电压(Vgs)：±20V
工作温度范围：-55°C至175°C
FERD60M45C具有极低的导通电阻，使其在高电流条件下能够保持较低的传导损耗。此外，该MOSFET的开关特性非常出色，具备快速的上升和下降时间，有助于减少开关损耗。该器件的热稳定性良好，在高负载情况下仍能维持稳定的性能。其高雪崩能量耐受能力也确保了在极端条件下的可靠性。此外，该MOSFET的封装设计便于焊接和安装，适合各种工业应用。
此MOSFET还具备良好的抗过载能力，并能在高温环境下运行，具有较长的使用寿命和稳定性。其栅极驱动要求较低，适用于多种驱动电路设计。
FERD60M45C广泛用于各类电源管理系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器以及负载开关等。此外，该器件也常用于电池充电器、UPS系统、工业自动化设备以及汽车电子系统等对功率转换效率要求较高的应用场景。由于其优异的性能和可靠性，它在需要高效率和高稳定性的应用中特别受欢迎。
IRF3205, FDP6030L, SiR862ADP
