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PMZB600UNELYL 发布时间 时间:2025/9/14 17:08:05 查看 阅读:7

PMZB600UNELYL 是一款由东芝(Toshiba)推出的MOSFET功率器件,属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件主要用于高效率、高频率的电源转换系统,如DC-DC转换器、开关电源(SMPS)、电机驱动以及工业自动化设备中。PMZB600UNELYL采用小型表面贴装封装,具备优良的导通特性和较低的开关损耗,适用于对空间和效率要求较高的现代电子设计。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大漏极电流(Id):10A
  导通电阻(Rds(on)):18mΩ @ Vgs=10V
  栅极阈值电压(Vgs(th)):1.5V ~ 2.5V
  最大耗散功率(Pd):30W
  封装形式:SOP-8FL
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  存储温度范围:-55°C ~ 150°C

特性

PMZB600UNELYL MOSFET在设计上采用了先进的沟槽式栅极结构,使得导通电阻更低,提高了功率转换效率。同时,该器件具备良好的热稳定性和电流承载能力,能够在高负载条件下稳定运行。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少导通损耗,提高系统整体能效。此外,PMZB600UNELYL的栅极驱动电压范围较宽,支持10V至12V驱动,适用于多种栅极驱动IC的搭配使用,增强了电路设计的灵活性。
  该器件还具备较高的抗雪崩能力和良好的短路耐受性,适用于一些对可靠性要求较高的应用场景。其SOP-8FL封装形式具有较小的封装体积,便于在紧凑的PCB布局中使用,同时通过优化的引脚设计降低了寄生电感,有助于减少开关过程中的电压振荡,提高开关性能和稳定性。
  另外,PMZB600UNELYL在制造过程中符合RoHS环保标准,不含铅和其他有害物质,适用于绿色电子产品的设计和制造。

应用

PMZB600UNELYL MOSFET广泛应用于多种电力电子系统中,如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统(BMS)、电机控制电路、负载开关以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其具备较高的效率和稳定的性能,也常用于便携式电子设备中的电源管理模块,如笔记本电脑、平板电脑、充电器和电源适配器等。此外,在汽车电子系统中,例如车载DC-DC转换器、LED照明驱动电路等,也可见该器件的身影。

替代型号

TPH1R406PD, SiSSA54DN, SQJQ164EP, CSD17551Q5A

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PMZB600UNELYL参数

  • 现有数量384,368现货
  • 价格1 : ¥2.94000剪切带(CT)10,000 : ¥0.44288卷带(TR)
  • 系列TrenchMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)600mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.2V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)620 毫欧 @ 600mA,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)950mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)0.7 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)21.3 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)360mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DFN1006B-3
  • 封装/外壳3-XFDFN