FEM10CNP-5N6 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有低导通电阻和高功率处理能力。该器件适用于需要高效功率管理的应用,例如电源转换、电机控制和负载开关等场景。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds):100V
最大漏极电流(Id):5A
导通电阻(Rds(on)):0.85Ω(典型值)
栅极阈值电压(Vgs(th)):2V 至 4V
最大功耗(Ptot):1.4W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TO-92
FEM10CNP-5N6 是一款性能优异的 N 沟道 MOSFET,具有低导通电阻(Rds(on))的特点,有助于降低功率损耗并提高系统效率。其最大漏源电压为 100V,支持在中高电压环境下稳定工作,适用于多种电源管理和功率控制应用。该器件的最大漏极电流为 5A,在适当的散热条件下能够处理较高功率负载。栅极阈值电压范围为 2V 至 4V,使得该 MOSFET 可以通过标准逻辑电平信号进行驱动,提高了其在数字控制电路中的兼容性。此外,FEM10CNP-5N6 采用 TO-92 封装,具有良好的热性能和机械稳定性,适合在空间受限的设计中使用。
该器件的可靠性高,具备较强的抗静电能力和热稳定性,能够在较为恶劣的环境条件下正常运行。其低导通电阻特性不仅降低了导通损耗,还减少了器件在工作时的发热,从而提升了整体系统的能效。同时,TO-92 封装便于手工焊接和安装,适合原型设计和小批量生产。由于其优异的电气特性和广泛的适用性,FEM10CNP-5N6 常用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动电路以及电池管理系统中。
FEM10CNP-5N6 广泛应用于多个领域,包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制电路、电池管理系统(BMS)、工业自动化设备和家用电器中的功率控制模块。其低导通电阻和高效率特性使其在电源管理和节能设计中表现优异。
FEM10CNP-5N6 可以使用如 IRF540N、FDPF5N60 或 STP5NK60Z 作为替代品,这些型号在参数性能和封装形式上具有较高的兼容性,但需根据具体电路设计和工作条件进行评估。