类型：N沟道
　　漏极电流（ID）：18A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：500V
　　栅极-源极电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(ON)）：0.22Ω（最大值）
　　功耗（PD）：75W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

FQP18N50PV2 具有以下显著特性：
　　1. 高耐压能力：漏极-源极击穿电压达到500V，适用于高电压应用环境，具有良好的电压耐受性和稳定性。
　　2. 低导通电阻：RDS(ON) 最大值为0.22Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　3. 高电流承载能力：连续漏极电流可达18A，适合中高功率的开关应用。
　　4. 热稳定性优异：封装设计优化了热传导路径，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　5. 快速开关性能：MOSFET结构优化，具备快速开关响应能力，适用于高频开关电源设计。
　　6. 宽栅极电压范围：允许使用±30V的栅极电压，提供更灵活的驱动控制方案。
　　7. 过热和过流保护：器件内部具备一定的过载能力，有助于提升系统的可靠性和耐用性。
　　这些特性使得 FQP18N50PV2 成为一款性能优异的功率MOSFET，适用于多种工业和消费类电子产品。

FQP18N50PV2 主要应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：适用于AC-DC和DC-DC转换器，提供高效率和高稳定性的功率转换。
　　2. 电机驱动：用于控制直流电机和步进电机的速度和方向，适用于工业自动化设备和机器人系统。
　　3. 电源管理模块：在电池管理系统、电源分配单元中用于高效能电能控制。
　　4. 照明驱动：适用于LED驱动器和高频照明系统，提供稳定的电流控制。
　　5. 逆变器与UPS系统：在不间断电源和逆变器中作为关键的开关元件，确保电力的连续供应。
　　6. 电动工具与电动车控制器：用于高性能电动工具和电动车的电机控制系统中。
　　由于其高耐压和低导通电阻的特性，FQP18N50PV2 在各种高功率和高频率应用中表现出色。

IRF840, FQA19N50C, STP18NF50, 2SK2647