时间：2025/7/11 13:01:58
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FEE4E20180050R101JT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于高效率开关电源、电机驱动以及工业控制等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高系统的整体效率并降低功耗。
该型号属于增强型 N 沟道 MOSFET，其设计优化了热性能和电气性能，适用于需要高电流处理能力的应用场景。此外，FEE4E20180050R101JT 提供了出色的可靠性和稳定性，能够适应恶劣的工作环境。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压Vds：200V
最大栅源电压Vgs：±20V
最大漏极电流Id：50A
导通电阻Rds(on)：10mΩ
总栅极电荷Qg：45nC
输入电容Ciss：1250pF
输出电容Coss：120pF
反向传输电容Crss：35pF
工作结温范围Tj：-55℃至+175℃
FEE4E20180050R101JT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗，提升系统效率。
2. 快速的开关速度，能够支持高频应用，同时降低开关损耗。
3. 高击穿电压（Vds）确保在高压环境下稳定运行。
4. 较小的栅极电荷（Qg）和反向传输电容（Crss），进一步优化动态性能。
5. 宽广的工作温度范围（-55℃至+175℃），适合各种严苛环境下的使用。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
FEE4E20180050R101JT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换级。
2. 电机驱动器，特别是用于电动车、家用电器及工业自动化设备。
3. 不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等新能源相关设备。
4. 各种工业控制和电力电子装置。
5. 高效 DC/DC 转换器以及电池管理系统（BMS）。
该芯片凭借其优异的性能，在需要高效能和高可靠性的应用场景中表现尤为突出。
FEE4E20180050R101JTR,
FEE4E20180050R101JTA,
FEE4E20180050R101JTB
