时间：2025/6/22 12:03:11
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FEE4E20140500R101JT 是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、电机驱动和负载开关等应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统效率并降低功耗。
该型号中的部分编码含义：FEE代表产品系列，4E201表示具体的器件设计版本，40500是额定电压和电流参数编码，R101表示批次信息，JT为封装类型标识。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压Vds：60V
最大栅源电压Vgs：±20V
连续漏极电流Id：100A
导通电阻Rds(on)：1.5mΩ（在Vgs=10V时）
总栅极电荷Qg：75nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 低导通电阻确保了较低的传导损耗，适用于高效率应用。
2. 快速开关速度减少了开关损耗，提高了整体性能。
3. 高电流处理能力使得该器件适合于大功率应用环境。
4. 强大的热性能允许其在高温环境下稳定运行。
5. 封装形式紧凑，便于PCB布局和散热设计。
6. 具备出色的抗静电能力（ESD防护），增强了可靠性。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. 电机驱动电路中的功率级开关。
3. 负载开关和保护电路中的关键元件。
4. DC-DC转换器中的同步整流管。
5. 工业控制设备中的功率输出级。
6. 大功率LED驱动中的调节器件。
FEE4E20140500R101GA, IRF3205, SI4846DY
