时间：2025/5/29 13:53:29
阅读：4
FED4E20180150R201JT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于高频开关应用和功率转换领域。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，适合用于高效率、紧凑型设计的电源系统中。其封装形式为表面贴装类型，能够有效提升散热性能并简化电路板布局。
型号：FED4E20180150R201JT
类别：功率 MOSFET
极性：N-Channel
最大漏源电压（Vds）：150 V
最大栅源电压（Vgs）：±20 V
连续漏极电流（Id）：201ds(on)）：1.5 mΩ
总功耗：200 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装：TO-247-3L
FED4E20180150R201JT 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，提高整体效率。
2. 快速的开关速度，可实现高频操作，适用于高频 DC-DC 转换器和逆变器。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐用性。
4. 热稳定性强，能够在较宽的工作温度范围内保持性能一致性。
5. 小巧且高效的封装设计，支持大电流和良好的散热性能。
6. 内置 ESD 保护功能，提高了芯片在实际应用中的可靠性。
这款功率 MOSFET 广泛应用于多种领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）设计，如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电动车辆（EV/HEV）的电机驱动和车载充电系统。
3. 工业自动化设备中的功率控制模块。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率调节。
5. 高效照明解决方案，例如 LED 驱动电路。
6. 各种需要高效功率管理的应用场合。
FDP035N150B, IRFGB30N150KD, FGH01N150TB
