时间：2025/7/10 20:09:07
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FE2HX475M251LGL 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等场景。该芯片采用了先进的沟槽式结构设计，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提升系统的效率和性能。
这款器件具有出色的热稳定性和可靠性，适用于需要高效能和高耐用性的工业级或汽车级应用环境。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压：75V
最大连续漏极电流：60A
导通电阻（典型值）：1.8mΩ
栅极电荷：36nC
总电容：5nF
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-247
FE2HX475M251LGL 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，确保在大电流条件下仍然保持高效的能量转换。
2. 快速的开关速度，减少开关损耗并提升系统效率。
3. 高温稳定性，即使在极端环境下也能保持稳定的性能。
4. 优异的抗电磁干扰能力，适合复杂电磁环境下的应用。
5. 强大的散热能力，能够有效降低芯片温度，延长使用寿命。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保且支持多种表面贴装工艺。
FE2HX475M251LGL 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源和不间断电源（UPS）。
2. DC-DC 转换器及逆变器。
3. 电动车及混合动力汽车中的电机控制器。
4. 工业自动化设备中的伺服驱动器。
5. 大功率 LED 照明驱动电路。
6. 各种需要高电流和快速开关的应用场景。
IRFP2907, FDP55N06L, STP55NF06L
