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FDZ294N 发布时间 时间:2025/7/1 8:25:25 查看 阅读:15

FDZ294N是一款N沟道增强型MOSFET(场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他功率控制电路中。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关速度等特性,适合于高频和高效能的设计需求。
  FDZ294N采用TO-220封装形式,具备良好的散热性能,能够在较高的工作温度范围内稳定运行。此外,其出色的电气特性和可靠性使其成为众多功率应用的理想选择。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:130A
  导通电阻(典型值):1.8mΩ
  总功耗:150W
  结温范围:-55℃至175℃

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 高电流处理能力,适用于大功率应用场景。
  3. 快速开关特性,能够有效降低开关损耗。
  4. 具备优异的热稳定性,支持长时间可靠运行。
  5. 提供过温保护功能,进一步增强了器件的安全性。
  6. 封装形式为标准TO-220,便于安装和维护。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 电机驱动电路中的功率级控制。
  3. DC-DC转换器中的功率开关。
  4. 电池管理系统中的负载开关。
  5. 各类工业设备及消费电子产品中的功率控制模块。
  6. 电动车及新能源领域的功率转换与管理电路。

替代型号

IRFZ44N
  STP130NF06
  FDP5500

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FDZ294N产品

FDZ294N参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C23 毫欧 @ 6A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs10nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds670pF @ 10V
  • 功率 - 最大1.7W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳9-WFBGA
  • 供应商设备封装9-BGA
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDZ294N-ND