时间：2025/7/1 8:25:25
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FDZ294N是一款N沟道增强型MOSFET（场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他功率控制电路中。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关速度等特性，适合于高频和高效能的设计需求。
FDZ294N采用TO-220封装形式，具备良好的散热性能，能够在较高的工作温度范围内稳定运行。此外，其出色的电气特性和可靠性使其成为众多功率应用的理想选择。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：130A
导通电阻（典型值）：1.8mΩ
总功耗：150W
结温范围：-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高电流处理能力，适用于大功率应用场景。
3. 快速开关特性，能够有效降低开关损耗。
4. 具备优异的热稳定性，支持长时间可靠运行。
5. 提供过温保护功能，进一步增强了器件的安全性。
6. 封装形式为标准TO-220，便于安装和维护。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. DC-DC转换器中的功率开关。
4. 电池管理系统中的负载开关。
5. 各类工业设备及消费电子产品中的功率控制模块。
6. 电动车及新能源领域的功率转换与管理电路。
IRFZ44N
STP130NF06
FDP5500
