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FDZ293P 发布时间 时间:2025/5/23 19:08:53 查看 阅读:18

FDZ293P是一种高性能的NPN型双极性晶体管,广泛应用于各种模拟和数字电路中。该器件具有高增益、低噪声和快速开关特性,适用于音频放大器、信号调节电路以及开关应用等领域。其设计优化了工作频率范围内的性能,同时保证了在高温和高压条件下的稳定性。

参数

集电极-发射极电压:45V
  集电极电流:1A
  直流电流增益(hFE):100-600
  功率耗散:625mW
  过渡频率(fT):250MHz
  存储温度范围:-55℃至150℃
  工作结温:-55℃至150℃

特性

FDZ293P晶体管采用先进的制造工艺,具备以下显著特点:
  1. 高增益:hFE范围为100到600,适合需要高放大倍数的应用。
  2. 快速开关能力:凭借高达250MHz的过渡频率,可以实现高速开关操作。
  3. 稳定性强:能够在较宽的温度范围内保持稳定的电气性能。
  4. 低噪声:适用于对信噪比要求较高的音频和射频电路。
  5. 小封装:便于在空间受限的设计中使用,同时也降低了寄生效应的影响。
  6. 成本效益:兼顾高性能与经济性,适合大规模生产。

应用

该晶体管主要应用于以下领域:
  1. 音频放大器:包括耳机驱动器、小型扬声器系统等。
  2. 开关电路:如继电器驱动、电机控制。
  3. 信号调节:用作缓冲器、电平转换器或线性放大器。
  4. 数字通信设备中的高频小信号处理。
  5. 电源管理模块中的过流保护及稳压功能实现。

替代型号

2SC1815, KSP54C, BC547

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FDZ293P参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C46 毫欧 @ 4.6A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs11nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds754pF @ 10V
  • 功率 - 最大1.7W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳9-WFBGA
  • 供应商设备封装9-BGA
  • 包装带卷 (TR)