FDY300NZ是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道功率MOSFET,主要用于高频率开关应用,例如电源转换器、DC-DC转换器以及电机控制等场景。该器件采用了先进的工艺技术,具备低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性,能够满足高效率和小型化电源系统的需求。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):900V
栅源电压(Vgs):±30V
连续漏极电流(Id):12A(在Tc=25℃时)
脉冲漏极电流(Idm):48A
导通电阻(Rds(on)):最大0.65Ω(在Vgs=10V时)
功耗(Pd):150W
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
封装形式:TO-220
FDY300NZ具有多个关键特性,使其在高性能功率电子设备中表现优异。
首先,其高耐压能力(900V Vds)使得该MOSFET适用于高电压输入的电源系统,如AC-DC适配器、工业电源及LED照明驱动电路。
其次,较低的导通电阻(Rds(on))有助于降低导通损耗,提高系统整体效率,同时减少散热需求,使设计更加紧凑。
此外,FDY300NZ支持较高的栅源电压(±30V),增强了栅极控制的灵活性,同时提高了抗噪声干扰的能力。
该器件还具备良好的热稳定性,能够在较高环境温度下稳定运行,确保长期工作的可靠性。
最后,采用TO-220封装形式,不仅便于安装和散热,也广泛兼容现有的PCB布局与制造流程。
FDY300NZ主要应用于需要高耐压和高效率的电力电子系统中。典型的应用包括:
- AC-DC电源适配器
- DC-DC转换器(特别是在隔离式拓扑结构中)
- 高频开关电源(SMPS)
- 电机驱动和控制器
- LED照明驱动电路
- 工业自动化设备中的功率开关模块
由于其优异的性能参数和可靠的封装形式,FDY300NZ在消费类电子产品、工业控制系统、通信设备和汽车电子等领域均有广泛应用。
SGH90N90ZU, FQA12N90C