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FDY300NZ 发布时间 时间:2025/7/15 19:36:11 查看 阅读:6

FDY300NZ是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道功率MOSFET,主要用于高频率开关应用,例如电源转换器、DC-DC转换器以及电机控制等场景。该器件采用了先进的工艺技术,具备低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性,能够满足高效率和小型化电源系统的需求。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):900V
  栅源电压(Vgs):±30V
  连续漏极电流(Id):12A(在Tc=25℃时)
  脉冲漏极电流(Idm):48A
  导通电阻(Rds(on)):最大0.65Ω(在Vgs=10V时)
  功耗(Pd):150W
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  封装形式:TO-220

特性

FDY300NZ具有多个关键特性,使其在高性能功率电子设备中表现优异。
  首先,其高耐压能力(900V Vds)使得该MOSFET适用于高电压输入的电源系统,如AC-DC适配器、工业电源及LED照明驱动电路。
  其次,较低的导通电阻(Rds(on))有助于降低导通损耗,提高系统整体效率,同时减少散热需求,使设计更加紧凑。
  此外,FDY300NZ支持较高的栅源电压(±30V),增强了栅极控制的灵活性,同时提高了抗噪声干扰的能力。
  该器件还具备良好的热稳定性,能够在较高环境温度下稳定运行,确保长期工作的可靠性。
  最后,采用TO-220封装形式,不仅便于安装和散热,也广泛兼容现有的PCB布局与制造流程。

应用

FDY300NZ主要应用于需要高耐压和高效率的电力电子系统中。典型的应用包括:
  - AC-DC电源适配器
  - DC-DC转换器(特别是在隔离式拓扑结构中)
  - 高频开关电源(SMPS)
  - 电机驱动和控制器
  - LED照明驱动电路
  - 工业自动化设备中的功率开关模块
  由于其优异的性能参数和可靠的封装形式,FDY300NZ在消费类电子产品、工业控制系统、通信设备和汽车电子等领域均有广泛应用。

替代型号

SGH90N90ZU, FQA12N90C

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FDY300NZ参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C600mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C700 毫欧 @ 600mA,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs1.1nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds60pF @ 10V
  • 功率 - 最大446mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-89,SOT-490
  • 供应商设备封装SC-89-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDY300NZTR