类型：MOSFET（N沟道）
　　配置：双N沟道
　　漏源电压（VDS）：25V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：6.5A（每个通道）
　　导通电阻（RDS(on)）：18mΩ @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：8引脚 SOIC
　　功率耗散（PD）：2.5W

FDW2511NE 的核心特性之一是其双N沟道MOSFET结构，使其能够在单一封装中实现两个独立的功率开关，节省PCB空间并简化电路设计。其低导通电阻（RDS(on)）仅为18mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件具有较高的热稳定性和良好的热阻性能，能够在高负载条件下保持稳定运行。
　　该MOSFET支持高达6.5A的连续漏极电流，适用于中高功率应用。其栅极驱动电压范围为±12V，兼容常见的PWM控制器和驱动电路。FDW2511NE 采用先进的硅技术，具有快速开关能力，适用于高频开关电源应用。
　　在封装方面，FDW2511NE 使用8引脚SOIC封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合表面贴装工艺（SMT），便于自动化生产。该器件符合RoHS环保标准，适用于各种消费类、工业类和通信类电源系统。

FDW2511NE 广泛应用于多种电源管理和功率转换系统中，包括但不限于DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池充电与管理系统、负载开关控制、电源适配器、笔记本电脑电源管理模块、工业自动化设备中的功率开关电路等。
　　由于其双MOSFET集成结构，FDW2511NE 特别适用于H桥驱动、双向开关电路以及需要高效率、紧凑布局的电源设计中。在服务器、通信设备、便携式电子设备中也常见其身影，用于实现高效的电源转换和管理功能。

FDW2512N，FDW2510N，FDW2513N