时间：2025/7/7 10:37:05
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FDW2509NZ是一款高性能的N沟道增强型MOSFET，专为需要低导通电阻和快速开关速度的应用而设计。该器件采用先进的制造工艺，具有出色的电气特性和可靠性，广泛适用于消费电子、工业控制和通信设备等领域。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：67A
导通电阻（典型值）：1.2mΩ
栅极电荷：85nC
开关时间：ton=14ns, toff=17ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
FDW2509NZ具有非常低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。其高电流处理能力和快速开关速度使其非常适合于高频DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等应用。
此外，该器件采用了PowerPAK SO-8封装技术，具备卓越的热性能和良好的布局灵活性，便于PCB设计与散热管理。同时，它还具有较高的雪崩能量能力，增强了在异常条件下的鲁棒性。
FDW2509NZ适用于多种功率转换和控制场景，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）
- DC-DC转换器
- 电机驱动
- 电池管理系统（BMS）
- 电信基础设施中的负载开关和保护电路
- 消费类电子产品中的高效功率传输模块
IRF2509PbF
FDP18N10Z
STP15NM50N
