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FDW2509NZ 发布时间 时间:2025/7/7 10:37:05 查看 阅读:15

FDW2509NZ是一款高性能的N沟道增强型MOSFET,专为需要低导通电阻和快速开关速度的应用而设计。该器件采用先进的制造工艺,具有出色的电气特性和可靠性,广泛适用于消费电子、工业控制和通信设备等领域。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:67A
  导通电阻(典型值):1.2mΩ
  栅极电荷:85nC
  开关时间:ton=14ns, toff=17ns
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

FDW2509NZ具有非常低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。其高电流处理能力和快速开关速度使其非常适合于高频DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等应用。
  此外,该器件采用了PowerPAK SO-8封装技术,具备卓越的热性能和良好的布局灵活性,便于PCB设计与散热管理。同时,它还具有较高的雪崩能量能力,增强了在异常条件下的鲁棒性。

应用

FDW2509NZ适用于多种功率转换和控制场景,包括但不限于:
  - 开关电源(SMPS)
  - DC-DC转换器
  - 电机驱动
  - 电池管理系统(BMS)
  - 电信基础设施中的负载开关和保护电路
  - 消费类电子产品中的高效功率传输模块

替代型号

IRF2509PbF
  FDP18N10Z
  STP15NM50N

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FDW2509NZ参数

  • 制造商Fairchild Semiconductor
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压20 V
  • 闸/源击穿电压+/- 12 V
  • 漏极连续电流7.1 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)20 m Ohms
  • 配置Dual Common Dual Drain Dual Source
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TSSOP-8
  • 封装Reel
  • 下降时间15 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散1.6 W
  • 上升时间15 ns
  • 工厂包装数量2500
  • 典型关闭延迟时间27 ns
  • 零件号别名FDW2509NZ_NL