FDW2509NZ是一款高性能的N沟道增强型MOSFET,专为需要低导通电阻和快速开关速度的应用而设计。该器件采用先进的制造工艺,具有出色的电气特性和可靠性,广泛适用于消费电子、工业控制和通信设备等领域。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:67A
导通电阻(典型值):1.2mΩ
栅极电荷:85nC
开关时间:ton=14ns, toff=17ns
工作结温范围:-55℃至+175℃
FDW2509NZ具有非常低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。其高电流处理能力和快速开关速度使其非常适合于高频DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等应用。
此外,该器件采用了PowerPAK SO-8封装技术,具备卓越的热性能和良好的布局灵活性,便于PCB设计与散热管理。同时,它还具有较高的雪崩能量能力,增强了在异常条件下的鲁棒性。
FDW2509NZ适用于多种功率转换和控制场景,包括但不限于:
- 开关电源(SMPS)
- DC-DC转换器
- 电机驱动
- 电池管理系统(BMS)
- 电信基础设施中的负载开关和保护电路
- 消费类电子产品中的高效功率传输模块
IRF2509PbF
FDP18N10Z
STP15NM50N