类型：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：14A
　　最大漏源电压（VDS）：250V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值0.16Ω（在VGS=10V时）
　　栅极电荷（Qg）：约34nC
　　输入电容（Ciss）：约1070pF
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装类型：SO-8

FDV14-250Q采用了STMicroelectronics先进的TrenchMOS工艺，使得该MOSFET在高电压下依然保持较低的导通电阻，从而减少导通损耗并提高能效。其导通电阻RDS(on)在VGS=10V时典型值为0.16Ω，有助于在高电流应用中降低功率损耗，提高系统效率。
　　该器件的栅极电荷（Qg）约为34nC，具有较快的开关速度，适合用于高频开关应用，如同步整流、PWM控制和DC-DC转换器。同时，其输入电容（Ciss）为1070pF左右，有助于减少驱动电路的负担，提高整体系统的响应速度。
　　FDV14-250Q支持最大漏极电流为14A，在高电压应用中表现出色，适用于多种功率管理场景。此外，该MOSFET的栅源电压范围为±20V，具备良好的栅极稳定性，防止过压损坏。其工作温度范围宽达-55°C至+175°C，适应性强，适用于高温环境下的工业控制和车载系统。
　　封装方面，FDV14-250Q采用SO-8封装，具有良好的散热性能，同时便于表面贴装工艺（SMT），适用于自动化生产流程。该封装形式也提高了器件的机械稳定性，增强了产品的可靠性。

FDV14-250Q主要应用于各种功率电子系统中，例如：
　　1. DC-DC转换器：用于便携式设备、服务器电源、通信设备等的电压转换电路中，实现高效能量转换。
　　2. 同步整流电路：在AC-DC电源转换系统中替代传统二极管，提升整流效率。
　　3. 电池管理系统：用于电池充放电控制电路，确保电池安全运行。
　　4. 负载开关电路：在需要快速开启/关闭负载的系统中，如电机驱动、LED照明控制等场景。
　　5. 工业自动化控制：用于工业设备中的电源管理和电机驱动电路。
　　6. 汽车电子系统：如车载充电器、车身控制模块等对可靠性和耐温性能要求较高的应用。

FDV14-250Q的替代型号包括FDV14N250S、FDPF14N250S、IPD14N250CE、STP14N250S、FQA14N25等。这些MOSFET器件在参数特性、封装形式和应用场景上与FDV14-250Q相似，可根据具体电路设计需求进行替换。