FDU6780A 时间：2025/5/7 15:39:30 阅读：6

FDU6780A是一款N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），适用于高频开关和功率转换应用。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高电路效率并减少热损耗。
　　FDU6780A广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动等领域。其紧凑的封装形式使其特别适合对空间有严格要求的设计场景。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：40A
　　导通电阻(Rds(on))：4mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
　　栅极电荷(Qg)：45nC
　　总电容(Ciss)：3200pF
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃

特性

FDU6780A具备以下主要特点：
　　1. 极低的导通电阻确保高效率运行。
　　2. 快速开关性能，减少开关损耗。
　　3. 高电流处理能力，支持大功率应用。
　　4. 增强的热稳定性，能够在高温环境下可靠工作。
　　5. 紧凑型封装设计，节省PCB空间。
　　6. 符合RoHS标准，环保无铅材料。

应用

FDU6780A适用于多种电力电子应用场景，包括但不限于：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
　　2. DC-DC转换器中的功率开关。
　　3. 电池管理系统中的负载开关或保护开关。
　　4. 电机驱动器中的半桥或全桥配置。
　　5. LED驱动器中的电流调节组件。
　　6. 各种工业自动化设备中的功率控制模块。