FDU6530A 时间：2025/12/29 15:17:38 阅读：12

FDU6530A是一款由富昌电子（Fujitsu）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效能电源管理和功率转换应用而设计。该器件采用了先进的超级结（Super Junction）技术，以实现低导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能。FDU6530A的封装形式为TO-252（DPAK），适合在紧凑型设计中使用，广泛应用于电源适配器、DC-DC转换器、电池充电器、负载开关以及工业控制系统等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：650V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：30A（在25℃时）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大0.18Ω
　　功率耗散（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装：TO-252（DPAK）

特性

FDU6530A采用超级结结构，显著降低了导通损耗并提高了器件的开关效率。其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低系统功耗，提升整体能效。此外，该MOSFET具备较高的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，增强了系统的可靠性。
　　其栅极驱动电压范围较宽（±30V），兼容多种驱动电路设计，并具有良好的抗过压能力。同时，TO-252封装形式具有良好的散热性能，适合在高功率密度应用中使用。FDU6530A还具备快速开关能力，适用于高频开关电源设计，减少了开关损耗并提高了系统响应速度。

应用

FDU6530A广泛应用于各种电源管理系统，包括AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、电池管理系统、电动工具、工业自动化设备以及LED照明驱动电路。由于其高耐压特性，也常用于高压功率开关、马达控制和不间断电源（UPS）等场合。在新能源领域，如太阳能逆变器和电动车充电模块中，FDU6530A也具备良好的适用性。