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FDT86256L 发布时间 时间:2025/8/25 4:06:32 查看 阅读:26

FDT86256L 是一款由 Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)推出的高性能双极型晶体管,属于 NPN 型晶体管,广泛应用于高频率、高功率的电子电路中。该器件采用了先进的制造工艺,具有优良的高频响应、高电流容量以及良好的热稳定性,适合在功率放大器、射频(RF)电路以及开关电路中使用。FDT86256L 通常采用 TO-263(D2PAK)封装形式,有助于提高其散热性能,适用于表面贴装技术(SMT),便于在现代电子设备中集成。

参数

类型: NPN 双极型晶体管
  最大集电极电流(Ic): 5.0A
  最大集电极-发射极电压(Vceo): 80V
  最大集电极-基极电压(Vcbo): 100V
  最大发射极-基极电压(Vebo): 5V
  最大功耗(Ptot): 2.0W
  频率响应(fT): 100MHz
  电流增益(hFE): 20 - 120(根据工作电流不同)
  封装类型: TO-263(D2PAK)

特性

FDT86256L 拥有出色的高频性能,能够在高达 100MHz 的频率下稳定工作,适用于射频和中频放大器设计。其高电流容量(最大集电极电流可达 5A)使其非常适合用于功率放大器或高电流开关电路。
  该晶体管的电流增益(hFE)范围广泛,根据工作电流的不同可在 20 至 120 之间变化,这种灵活性使得它能够适应多种电路设计需求。FDT86256L 还具备良好的热稳定性,得益于其 TO-263(D2PAK)封装设计,能够有效散热并防止因温度升高导致的性能下降。
  此外,FDT86256L 的封装形式支持表面贴装技术,提高了生产效率并降低了制造成本。这种封装方式也使得器件在 PCB 上的安装更加稳固,增强了整体系统的可靠性。FDT86256L 的电气特性稳定,具有较低的饱和压降(Vce_sat),从而减少了功率损耗,提高了能效。
  在安全性和可靠性方面,FDT86256L 设计有较高的电压和电流耐受能力,能够承受一定的过载和瞬态电压冲击。这种设计使其在恶劣工作环境下仍能保持良好的性能,延长了器件的使用寿命。

应用

FDT86256L 主要应用于高频率、高功率电子电路中,如射频功率放大器、音频功率放大器、开关电源、马达控制电路、逆变器以及工业自动化控制系统等。
  在射频领域,FDT86256L 常被用于构建射频放大器,适用于通信设备、广播设备以及无线发射模块等应用场景。其高频响应和高功率处理能力使其成为射频功率放大的理想选择。
  在音频放大器设计中,FDT86256L 可用于后级功率放大,提供强劲的输出能力和良好的音质表现。它也广泛应用于音响系统、功放设备以及舞台灯光控制电路中。
  此外,FDT86256L 在开关电源和 DC-DC 转换器中也有广泛应用,用于构建高效率的功率开关电路。其低饱和压降和高电流容量有助于提高电源转换效率,减少能量损耗。
  在工业控制领域,FDT86256L 可用于驱动大功率负载,如继电器、电磁阀、马达等,适用于自动化控制系统、机器人以及工业机械等应用环境。

替代型号

FDT86256L 的替代型号包括 FJD4211、TIP122、BDW83D、MJF4211 等。

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