时间：2025/7/5 3:55:23
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FDT86256 是一款高性能的 N 治道 MOSFET 功率晶体管，专为需要高效能和低导通电阻的应用设计。该器件采用先进的制造工艺，在开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等领域表现优异。
其卓越的电气性能和可靠性使其成为众多功率转换应用的理想选择。
型号：FDT86256
类型：N 治道 MOSFET
VDS（最大漏源电压）：60V
RDS(on)（导通电阻）：2.5mΩ（典型值，VGS=10V）
ID（连续漏极电流）：256A
Qg（栅极电荷）：45nC
Eoss（输出电容能量损耗）：70μJ
VGS(th)（栅源开启电压）：2.5V～4.5V
封装形式：LFPAK56E
工作温度范围：-55℃～+175℃
FDT86256 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，有效降低导通损耗，提升系统效率。
2. 较小的栅极电荷 Qg 和输出电容能量损耗 Eoss，有助于提高开关速度并减少开关损耗。
3. 高电流承载能力，可满足大功率应用需求。
4. 宽泛的工作温度范围，确保在极端环境下的稳定运行。
5. 采用 LFPAK56E 封装，具备良好的散热性能和焊接可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
FDT86256 广泛应用于各种功率转换和控制场景，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管。
2. DC-DC 转换器中的同步整流管或高侧开关管。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 电池保护及充放电管理电路中的负载开关。
5. 工业自动化设备中的功率控制元件。
其强大的电流处理能力和低损耗特性使其在高功率密度设计中表现出色。
FDP86256, FDN86256
