类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：20V
　　连续漏极电流（ID）：4.7A（在 VGS=10V）
　　导通电阻（RDS(on)）：27mΩ（典型值，VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOIC-8

FDT3612-NL 具备多项优良特性，适用于多种高性能功率管理应用。其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了能效。该 MOSFET 在 10V 栅极驱动电压下可提供高达 4.7A 的连续漏极电流，适合用于中等功率的开关应用。此外，其 30V 的漏源电压额定值使其能够在多种电源系统中稳定运行，包括 12V、24V 和 28V 的直流电源系统。
　　FDT3612-NL 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了开关速度和导通性能之间的平衡，从而降低了开关损耗。这对于高频开关应用（如同步整流器、DC-DC 转换器和负载开关）尤为重要。该器件还具有良好的热稳定性，能够在较高的环境温度下保持稳定运行。
　　此外，该器件的封装形式为 8 引脚 SOIC，具有良好的散热性能，便于在 PCB 上安装和布局。其紧凑的封装尺寸也使其适用于空间受限的应用，例如笔记本电脑、移动设备和便携式电源管理系统。FDT3612-NL 符合 RoHS 环保标准，无卤素，适用于对环境要求较高的应用场合。

FDT3612-NL 主要应用于各类功率电子系统中，包括但不限于同步降压和升压转换器、DC-DC 转换模块、负载开关、电池管理系统（BMS）、电源管理单元（PMU）、电机驱动器和工业控制设备。由于其高效率和低导通电阻的特性，它也广泛用于通信设备、服务器电源、便携式电子产品以及汽车电子系统中的功率调节模块。
　　在同步整流器应用中，FDT3612-NL 可作为低边或高边开关，用于提高转换效率并减少发热。在电池管理系统中，该器件可用于控制电池充放电路径，实现高效的能量管理。此外，在电机驱动电路中，FDT3612-NL 可用于控制电机的启停和方向，适用于小型电机和风扇控制。
　　在汽车电子领域，FDT3612-NL 可用于车载充电器、LED 照明控制系统和车载娱乐系统的电源管理模块。由于其耐压能力和电流承载能力较高，该器件在这些应用中能够提供稳定可靠的开关性能。

FDN360BN, FDS6680, Si4442DY, IRF7413, BSC016N04LS5